[发明专利]一种倒装发光二极管

权利要求书

1.一种GaN基倒装发光二极管，包括：

承载基板（10）；

形成于承载基板（10）上的焊球或凸块电极（11）；

倒装GaN基发光二极管结构，其包括：

蓝宝石衬底（1）；

形成在蓝宝石衬底（1）上的n型GaN层（2）；

形成在n型GaN层（2）上的有源层（3）；

形成在有源层（3）上的p型GaN层（4）；

形成在p型GaN层（4）上的n型电极（9）和p型电极（8）；

形成在n型电极（9）和p型电极（8）之间的隔离槽；

形成在隔离槽侧壁上的绝缘层（6）；

形成在隔离槽中且与n型电极（9）电连接的铜柱（5）；以及

使承载基板（10）上的焊球或凸块电极（11）分别与n型电极（9）和p型电极（8）电连接。

2.根据权利要求1所述的GaN基倒装发光二极管，特征在于：

n型电极（9）和p型电极（8）相对于隔离槽对称设置且n型电极（9）和p型电极（8）的面积相等，并且n型电极（9）和p型电极（8）与焊球或凸块电极（11）电连接的表面高度相同并处于同一表面上。

3.根据权利要求2所述的GaN基倒装发光二极管，特征在于：

n型电极（9）和p型GaN层（4）之间具有氧化铝绝缘层（7），其厚度是30nm至50nm，且n型电极（9）的厚度是70nm至100nm，优选75nm，80nm，85nm，90nm，100nm。

4.根据权利要求3所述的GaN基倒装发光二极管，特征在于：铜柱（5）突出于p型GaN层（4）的表面的高度为100nm至150nm，且p型电极（8）的厚度是100nm至150nm，优选110nm，120nm，130nm，140nm，150nm。

5.根据权利要求4所述的GaN基倒装发光二极管，特征在于：n型电极（9）与氧化铝绝缘层（7）的总厚度以及p型电极（8）的厚度与铜柱（5）突出p型GaN层4的表面的高度相同。

6.根据权利要求5所述的GaN基倒装发光二极管，特征在于：n型电极（9）和p型电极（8）的总面积占p型GaN层（4）的表面积的70％-90％，且隔离槽占p型GaN层（4）的表面积的10％－30％。

7.根据权利要求6所述的GaN基倒装发光二极管，特征在于：n型电极（9）直接与铜柱（5）接触，从而形成n型电极（9）至n型GaN层（2）的导电通路，使得n型电极（9）通过铜柱（5）与n型GaN层（2）电连接。