[发明专利]一种共晶焊的硅金属化的金属件及其金属化工艺有效
| 申请号： | 201310550563.3 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103579158A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 徐谦刚;张志向;杜林德;蒲耀川;薛建国;王丽华 | 申请（专利权）人： | 天水天光半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;B32B15/01;H01L21/60 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人： | 孙惠娜 |
| 地址： | 741000*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 一种降低共晶焊工艺过程中硅芯片与框架孔洞率和金属结构成本、提高焊接良率和焊接拉力的共晶焊的硅金属化的金属件。本发明的共晶焊的硅金属化的金属件采用Ti、Ni、SnAg、Au金属结构，Ti作为粘附层金属，起到与硅和上层金属Ni的粘附，Ni为阻挡层金属，防止上层金属SnAg合金渗透到硅。SnAg合金为粘附层金属，Sn熔点231.8℃，Ag熔点980℃，SnAg按质量分数为Sn55-65%、Ag35-45%组合，就能够形成共晶焊温度为380-450℃合金体。金为保护层金属，防止SnAg合金氧化。本发明降低了共晶焊工艺过程中硅芯片与框架孔洞率和金属结构成本，提高了焊接良率和焊接拉力，使得该发明产品在应用中有高的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 共晶焊 金属化 金属件 及其 工艺 | ||
【主权项】：
一种共晶焊的硅金属化的金属件，其特征在于：衬底为硅片，第四层为Ti金属层，第三层为Ni金属层，第二层为SnAg合金层，顶层为Au金属层。
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