[发明专利]一种共晶焊的硅金属化的金属件及其金属化工艺

权利要求书

1.一种共晶焊的硅金属化的金属件，其特征在于：衬底为硅片，第四层为Ti金属层，第三层为Ni金属层，第二层为SnAg合金层，顶层为Au金属层。

2.根据权利要求1所述的一种共晶焊的硅金属化的金属件，其特征在于：第四层Ti金属层厚度为1000±100                                               ，第三层Ni金属层厚度为3000±100，第二层SnAg合金层厚度为12000±900，顶层Au金属层厚度为2000±100。

3.根据权利要求1或2所述的一种共晶焊的硅金属化的金属件的金属化工艺，其特征在于步骤为：

a、衬底硅片处理，硅片先正面贴膜后背面减薄到220±5um，然后背面依次去应力腐蚀、去污腐蚀液腐蚀、HF腐蚀后正面去膜，甩干后待用；

b、Ti金属蒸发：将按步骤a处理过的衬底硅片在200±10℃恒温烘烤10分钟，然进行Ti金属的蒸发，Ti金属蒸发层厚度为1000±100，蒸发速率为10±5/S；

c、Ni金属蒸发：完成步骤b的具有Ti金属层的衬底硅片放入真空室中自然降温到180±5℃，然后进行Ni金属的蒸发，Ni金属蒸发层厚度为3000±100，蒸发速率为10±5/S；

d、SnAg合金蒸发：完成步骤c 的Ni金属蒸发后，将具有Ti金属层和Ni金属层的衬底硅片放入真空室自然降温到150±5℃，然后进行SnAg合金蒸发，SnAg合金蒸发采用蒸发舟工艺，蒸发舟蒸发两种金属的合金，可将金属均匀蒸镀到硅片表面，SnAg合金蒸发层厚度为12000±900，其中SnAg合金是采用Sn金属和Ag金属均匀混合制做成的合金块金属，其中Sn金属和Ag金属的质量分数为Sn 55-65%、Ag35-45%；

e、Au金属蒸发：将完成SnAg合金层蒸发的衬底硅片放入真空室温度自然降到90±5℃，然后进行Au金属的蒸发，Au金属蒸发层厚度为2000±100，蒸发速率15±5/S 。

4.根据权利要求3所述的一种共晶焊的硅金属化的金属件的金属化工艺，其特征在于：所述步骤d中SnAg合金蒸发采用蒸发舟工艺，其中共三个蒸发舟，每个蒸发舟蒸发SnAg合金厚度为4000±300，三个蒸发舟共蒸发SnAg合金厚度为12000±900。

5.根据权利要求4所述的一种共晶焊的硅金属化的金属件的金属化工艺，其特征在于：所述步骤a为硅片先正面贴膜后背面减薄到220±5um，然后背面在HNO₃：HF：HAC：H₂O=40：1：2：20的溶液中去应力腐蚀5分钟，冲水10分钟，在H₂O：NH₄F：H₂O₂=10：1：1的溶液中去污腐蚀液腐蚀5分钟，冲水10分钟，在NH₄F：HF=10：1溶液中清洗5分钟，冲水10分钟，在H₂O：HF=100：1溶液中腐蚀5分钟，冲水10分钟后正面去膜，甩干后待用。