[发明专利]一种二氧化钒纳米棒状薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310549182.3 申请日: 2013-11-07
公开(公告)号: CN103556198A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 李永祥;屈钰琦;刘志甫;孙大志 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海师范大学
主分类号: C25D9/04 分类号: C25D9/04;B82Y40/00
代理公司: 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 代理人: 何葆芳
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种二氧化钒纳米棒状薄膜的制备方法,所述方法是首先制备含四价钒化合物的澄清电解液,然后进行电化学沉积镀膜;最后在还原性气氛中,于100~800℃下进行退火处理。采用本发明方法所得薄膜为形貌规整、均匀的纳米棒状结构,具有很高的表面活性,可应用于一次性在基板表面沉积形成具有热致变色性能的薄膜材料,并可应用于电极阴极等储能材料领域。另外,本发明工艺简单,反应条件温和,适用于不同形貌、规格的衬底基板,成膜速度快,薄膜形貌、厚度可控,致密性良好,适合大规模推广使用。
搜索关键词: 一种 氧化 纳米 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种二氧化钒纳米棒状薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:a)将四价钒化合物溶解于溶剂中,得到电解液;b)在步骤a)得到的电解液中加入分散剂,搅拌10~60分钟,超声分散10~60分钟,得到澄清电解液;c)调节步骤b)得到的电解液的pH值为1~5,备用;d)将导电基板经清洗并烘干后,与电极平行放入步骤c)得到的电解液中,在0.1~20V的加载电压下通电5~120分钟,进行电化学沉积镀膜;e)沉积结束后,将步骤d)得到的产品在50~150℃下干燥10~60分钟,然后在还原性气氛中,于100~800℃下退火处理0.1~24小时,得到二氧化钒纳米棒状薄膜。
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