[发明专利]阻变存储器件及其制造方法

摘要

提供了一种阻变存储器件及其制造方法。所述阻变存储器件包括：多层式绝缘层，包括形成在半导体衬底上的多个孔；下电极，形成在每个孔的底部；第一间隔件，形成在下电极和每个孔的侧壁上；第二间隔件，形成在第一间隔件的上侧壁上；第三间隔件，在第二间隔件之下形成在第一间隔件的下侧壁上；阻变部，形成在下电极上，具有比每个孔的顶部的高度低的高度；以及上电极，形成在阻变部上以掩埋在每个孔中。

主权项

1.一种阻变存储器件，包括：多层式绝缘层，所述多层式绝缘层包括形成在半导体衬底上的多个孔；下电极，所述下电极形成在每个孔的底部；第一间隔件，所述第一间隔件形成在所述下电极之上和每个孔的侧壁上，以与所述下电极的上部接触；第二间隔件，所述第二间隔件在所述第一间隔件的上侧壁上形成为预定高度；第三间隔件，所述第三间隔件在所述第二间隔件之下形成在所述第一间隔件的下侧壁上，以与所述第二间隔件的下部接触；阻变部，所述阻变部无隔断地形成在所述下电极上，具有比每个孔的顶部的高度低的高度，所述阻变部外侧壁构造成由所述第二间隔件和第三间隔件覆盖；以及上电极，所述上电极形成在所述阻变部上以掩埋在每个孔中。