[发明专利]阻变存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种阻变存储器件，包括：

多层式绝缘层，所述多层式绝缘层包括形成在半导体衬底上的多个孔；

下电极，所述下电极形成在每个孔的底部；

第一间隔件，所述第一间隔件形成在所述下电极之上和每个孔的侧壁上，以与所述下电极的上部接触；

第二间隔件，所述第二间隔件在所述第一间隔件的上侧壁上形成为预定高度；

第三间隔件，所述第三间隔件在所述第二间隔件之下形成在所述第一间隔件的下侧壁上，以与所述第二间隔件的下部接触；

阻变部，所述阻变部无隔断地形成在所述下电极上，具有比每个孔的顶部的高度低的高度，所述阻变部外侧壁构造成由所述第二间隔件和第三间隔件覆盖；以及

上电极，所述上电极形成在所述阻变部上以掩埋在每个孔中。

2.如权利要求1所述的阻变存储器件，其中，所述多层式绝缘层包括：

第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述下电极上，并且由氮化物形成；

第二绝缘层，所述第二绝缘层形成在所述第一绝缘层上，并且由氧化物形成；

第三绝缘层，所述第三绝缘层形成在所述第二绝缘层上，并且由所述氮化物形成；以及

第四绝缘层，所述第四绝缘层形成在所述第三绝缘层上，并且由所述氧化物形成。

3.如权利要求2所述的阻变存储器件，其中，所述第二间隔件是通过将所述第一间隔件选择性地氧化而形成的。

4.如权利要求3所述的阻变存储器件，其中，所述第一间隔件、第二间隔件、以及第三间隔件由具有彼此不同刻蚀选择性的材料形成。

5.如权利要求4所述的阻变存储器件，其中，所述阻变部的高度比所述第三间隔件的高度高。

6.一种制造阻变存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：

在半导体衬底上形成多层式绝缘层；

通过刻蚀所述多层式绝缘层来形成暴露出所述半导体衬底的上表面的一部分的孔；

在所述孔的底部中形成下电极；

在所述下电极和所述孔的侧壁上形成第一间隔件；

在所述第一间隔件的上侧壁上形成第二间隔件；

在所述第一间隔件的下侧壁上形成第三间隔件；

在所述孔中形成阻变部以具有比所述孔的高度低的高度；以及

在所述阻变部上形成上电极以掩埋在所述孔中。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述多层式绝缘层包括：

第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述下电极上，并且由氮化物形成；

第二绝缘层，所述第二绝缘层形成在所述第一绝缘层上，并且由氧化物形成；

第三绝缘层，所述第三绝缘层形成在所述第二绝缘层上，并且由所述氮化物形成；以及

第四绝缘层，所述第四绝缘层形成在所述第三绝缘层上，并且由所述氧化物形成。

8.如权利要求7所述的方法，其中，在形成所述上电极的步骤中，利用所述第三绝缘层作为刻蚀停止层来去除所述第四绝缘层。

9.如权利要求8所述的方法，其中，在形成所述第二间隔件的步骤中，通过将所述第一间隔件氧化来形成所述第二间隔件。

10.如权利要求9所述的方法，还包括以下步骤：在形成所述第一间隔件之后，在所述孔中形成具有一定高度的牺牲层。

11.如权利要求10所述的方法，还包括以下步骤：在形成所述第二间隔件之后，去除所述牺牲层。

12.如权利要求11所述的方法，其中，在形成所述阻变部的步骤中，将所述阻变部的高度形成为比所述第三间隔件的高度更高。