[发明专利]两端子多通道ESD器件及其方法有效
| 申请号： | 201310544859.4 | 申请日： | 2009-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN103646948A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | A·萨利赫;刘明焦;T·肯纳 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/082 | 分类号： | H01L27/082;H01L21/8222;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及两端子多通道ESD器件及其方法。在一个实施方式中该方法包括：形成上覆于半导体基底的第一半导体层；形成多个二极管，且使每个二极管的至少一部分在所述第一半导体层内；形成延伸通过所述第一半导体层的多个第一阻挡结构，其中所述多个第一阻挡结构的分开的阻挡结构围绕所述多个二极管中的每个二极管的周界，以禁止电流在所述多个二极管之间横向流过所述第一半导体层；以及形成从所述第一半导体层内延伸到所述半导体基底中的导体。 | ||
| 搜索关键词： | 端子 通道 esd 器件 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种形成ESD器件的方法，包括：形成上覆于半导体基底的第一半导体层；形成多个二极管，且使每个二极管的至少一部分在所述第一半导体层内；形成延伸通过所述第一半导体层的多个第一阻挡结构，其中所述多个第一阻挡结构的分开的阻挡结构围绕所述多个二极管中的每个二极管的周界，以禁止电流在所述多个二极管之间横向流过所述第一半导体层；以及形成从所述第一半导体层内延伸到所述半导体基底中的导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
