[发明专利]半导体封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201310542790.1 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104617034A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 冯霞;黄河;刘煊杰;张海芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/56;H01L25/065;H01L23/31;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体封装结构及其形成方法，其中，所述半导体封装结构，包括：若干半导体芯片，所述半导体芯片的表面上具有焊盘；密封所述若干半导体芯片的密封材料层，所述密封材料层的正面露出半导体芯片的表面上的焊盘；位于相邻半导体芯片之间的密封材料层中的通孔互连结构，通孔互连结构贯穿密封材料层的厚度；位于密封材料层的正面上且与所述焊盘和通孔互连结构顶部表面相连接的第一再布线层；位于第一再布线层上的第一凸块；位于所述密封材料层的背面上且与通孔互连结构底部表面相连的第二再布线层；位于第二再布线层上的第二凸块。本发明的半导体封装结构占据的体积小，集成度高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供若干半导体芯片，所述半导体芯片的表面上具有焊盘；将若干半导体芯片通过密封材料层密封，所述密封材料层的正面露出半导体芯片的表面上的焊盘；在相邻半导体芯片之间的密封材料层中形成通孔互连结构，密封材料层的正面露出通孔互连结构的表面；在密封材料层的正面上形成与所述焊盘和通孔互连结构顶部表面相连接的第一再布线层；在所述第一再布线层上形成第一凸块；平坦化所述密封材料层的背面，暴露出通孔互连结构的底部表面；在所述密封材料层的背面上形成与通孔互连结构底部表面相连的第二再布线层；在第二再布线层上形成第二凸块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
