[发明专利]半导体封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供若干半导体芯片，所述半导体芯片的表面上具有焊盘；

将若干半导体芯片通过密封材料层密封，所述密封材料层的正面露出半导体芯片的表面上的焊盘；

在相邻半导体芯片之间的密封材料层中形成通孔互连结构，密封材料层的正面露出通孔互连结构的表面；

在密封材料层的正面上形成与所述焊盘和通孔互连结构顶部表面相连接的第一再布线层；

在所述第一再布线层上形成第一凸块；

平坦化所述密封材料层的背面，暴露出通孔互连结构的底部表面；

在所述密封材料层的背面上形成与通孔互连结构底部表面相连的第二再布线层；

在第二再布线层上形成第二凸块。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述密封材料层的材料为树脂。

3.如权利要求2所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述树脂为环氧树脂、聚酰亚胺树脂、苯环并丁烯树脂、聚苯并恶唑树脂、PPE树脂、氟树脂或酚醛树脂。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述通孔互连结构的材料为Cu、Al、Ag、Au、Pt、Ni、Ti或W中的一种或几种。

5.如权利要求4所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述通孔互连结构的形成过程为：在通孔的侧壁和底部以及密封材料层的表面形成种子层；在种子层表面形成光刻胶掩膜，所述光刻胶掩膜中具有暴露通孔的开口；采用电镀工艺在通孔中填充满金属，形成通孔互连结构。

6.如权利要求1所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述通孔互连结构在所述密封材料层中的深度大于所述半导体芯片在所述密封材料层中的深度。

7.如权利要求1所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成覆盖所述密封材料层正面和第一再布线层的第一钝化层，所述第一钝化层中具有暴露第一再布线层表面的第一开口，在第一开口中形成第一凸块。

8.如权利要求1所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成覆盖所述密封材料层背面和第二再布线层的第二钝化层，所述第二钝化层中具有暴露第二再布线层表面的第二开口，在第二开口中形成第二凸块。

9.如权利要求7或8所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一凸块或第二凸块为焊球。

10.如权利要求7或8所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一凸块或第二凸块包括金属柱和位于金属柱顶部表面的焊球。

11.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

若干半导体芯片，所述半导体芯片的表面上具有焊盘；

密封所述若干半导体芯片的密封材料层，所述密封材料层的正面露出半导体芯片的表面上的焊盘；

位于相邻半导体芯片之间的密封材料层中的通孔互连结构，通孔互连结构贯穿密封材料层的厚度；

位于密封材料层的正面上且与所述焊盘和通孔互连结构顶部表面相连接的第一再布线层；

位于第一再布线层上的第一凸块；

位于所述密封材料层的背面上且与通孔互连结构底部表面相连的第二再布线层；

位于第二再布线层上的第二凸块。

12.如权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，所述密封材料层的材料为树脂。

13.如权利要求12所述的半导体封装结构，其特征在于，所述树脂为环氧树脂、聚酰亚胺树脂、苯环并丁烯树脂、聚苯并恶唑树脂、PPE树脂、氟树脂或酚醛树脂。

14.如权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，所述通孔互连结构的材料为Cu、Al、Ag、Au、Pt、Ni、Ti或W中的一种或几种。

15.如权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：覆盖所述密封材料层正面和第一再布线层的第一钝化层，所述第一钝化层中具有暴露第一再布线层表面的第一开口，第一凸块位于第一开内。