[发明专利]FinFET器件的制作方法在审
| 申请号： | 201310542088.5 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104616992A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 张步新;蔡孟峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种FinFET器件的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成掩模；图形化所述掩模以暴露出部分衬底；对暴露出的部分衬底进行离子掺杂，以形成掺杂区域；去除剩余的掩模；对所述衬底以及掺杂区域进行退火，使所述掺杂区域形成隔离区；对所述隔离区进行蚀刻去除部分隔离区材料，使所述隔离区周围的衬底相对于所述隔离区凸出，以形成所述FinFET器件的鳍部。本发明的有益效果在于，采用离子掺杂并退火的方式可以较为简便的形成所述隔离区，与现有技术相比，省去了形成沟道并在沟道中填充介质的步骤，简化了制作过程。另外，本发明仅需要一次形成掩模的步骤，与现有技术相比，在节省成本的同时加快了整个流程的效率。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种FinFET器件的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成掩模；图形化所述掩模以暴露出部分衬底；对暴露出的部分衬底进行离子掺杂，以形成掺杂区域；去除剩余的掩模；对所述衬底以及掺杂区域进行退火，使所述掺杂区域形成隔离区；对所述隔离区进行蚀刻去除部分隔离区材料，使所述隔离区周围的衬底相对于所述隔离区凸出，以形成所述FinFET器件的鳍部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
