[发明专利]FinFET器件的制作方法

权利要求书

1.一种FinFET器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成掩模；

图形化所述掩模以暴露出部分衬底；

对暴露出的部分衬底进行离子掺杂，以形成掺杂区域；

去除剩余的掩模；

对所述衬底以及掺杂区域进行退火，使所述掺杂区域形成隔离区；

对所述隔离区进行蚀刻去除部分隔离区材料，使所述隔离区周围的衬底相

对于所述隔离区凸出，以形成所述FinFET器件的鳍部。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在提供衬底的步骤之后，形成掩模层的步骤之前还包括如下步骤：

在所述衬底表面形成垫氧层。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，形成垫氧层的步骤包括：对所述衬底进行加热处理，以在所述衬底表面形成所述垫氧层。

5.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在形成所述垫氧层之前，还包括以下分步骤：

对所述衬底的表面进行清洗。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成掩模层的步骤包括：形成硬掩模。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述硬掩模采用氮化硅硬掩模。

8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在离子掺杂的步骤中，采用氧离子作为掺杂离子，以形成氧化硅隔离区。

9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，氧离子的掺杂浓度在10¹²至10²⁰每平方厘米的范围内。

10.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，氧离子的注入能量在1Kev至400Kev的范围内。

11.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，氧离子的注入角度在0至15度的范围内。

12.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在退火步骤中，退火温度在900至1200摄氏度的范围内。

13.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成隔离区的步骤之后，对所述隔离区进行蚀刻之前，还包括：对所述衬底的表面以及隔离区的表面进行平坦化处理。

14.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，在平坦化处理的步骤中，所述平坦化处理为化学机械研磨。

15.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在蚀刻的步骤中，蚀刻具体为湿法蚀刻。