[发明专利]一种相变存储单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201310541687.5 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103594621A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 程国胜;卫芬芬;孔涛;黄荣;张杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 宋鹰武;沈祖锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种相变存储单元，包括：衬底、下电极金属层、第一绝缘层、加热材料层、第二绝缘层、下相变材料层、上相变材料层和上电极金属层，还包括阻挡层，所述阻挡层设置于所述下相变材料层和所述上相变材料层之间，所述阻挡层的材料为Nb2O5，本发明提供的相变存储单元，在两层相变材料中加入阻挡层，通过控制阻挡层材料的性质及厚度，减小了操作电流，尤其减小多晶向非晶转化时的操作电流，实现了1D1R高密度集成，减小器件的功耗。另外，本发明还提供了一种相变存储单元的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储单元，包括：衬底、下电极金属层、第一绝缘层、加热材料层、第二绝缘层、下相变材料层、上相变材料层和上电极金属层，其特征在于，还包括阻挡层，所述阻挡层设置于所述下相变材料层和所述上相变材料层之间，所述阻挡层的材料为Nb2O5。
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