[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供不会阻碍外部电极与键合线的电接触、不对小型化以及量产化造成障碍的CoC连接的半导体装置。具有矩形形状的下侧半导体元件；沿着所述下侧半导体元件的边而排列并形成在下侧半导体元件上的多个外部电极；经由多个布线图案与多个外部电极分别电连接、且排列并形成在下侧半导体元件上的多个内部电极；形成为包围多个外部电极中的每一个或每多个的隔墙图案；以多个端子分别与多个内部电极电连接的方式搭载在下侧半导体元件上的上侧半导体元件；以及以滴注并流入下侧半导体元件与上侧半导体元件之间的方式而形成的树脂。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：矩形形状的下侧半导体元件；第一绝缘膜，形成在所述下侧半导体元件表面上；多个外部电极，所述多个外部电极沿着所述第一绝缘膜的边而排列并形成在所述所述第一绝缘膜上；多个内部电极，所述多个内部电极经由多个布线图案与所述多个外部电极分别电连接，并且排列而形成在所述第一绝缘膜上；第二绝缘膜，为形成在所述布线图案上的薄膜，所述多个内部电极以及所述多个外部电极位置的区域是开口了的；隔墙图案，所述隔墙图案形成为包围所述多个外部电极中的每一个或每多个；上侧半导体元件，所述上侧半导体元件以多个端子分别与所述多个内部电极电连接的方式搭载在所述下侧半导体元件上；以及树脂，所述树脂形成为滴注并流入所述下侧半导体元件与所述上侧半导体元件之间的方式，其中，所述隔墙图案是在维持从滴注所述树脂的区域通向所述下侧半导体元件的外周的空隙的同时而形成的。