[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

矩形形状的下侧半导体元件；

第一绝缘膜，形成在所述下侧半导体元件表面上；

多个外部电极，所述多个外部电极沿着所述第一绝缘膜的边而排列并形成在所述所述第一绝缘膜上；

多个内部电极，所述多个内部电极经由多个布线图案与所述多个外部电极分别电连接，并且排列而形成在所述第一绝缘膜上；

第二绝缘膜，为形成在所述布线图案上的薄膜，所述多个内部电极以及所述多个外部电极位置的区域是开口了的；

隔墙图案，所述隔墙图案形成为包围所述多个外部电极中的每一个或每多个；

上侧半导体元件，所述上侧半导体元件以多个端子分别与所述多个内部电极电连接的方式搭载在所述下侧半导体元件上；以及

树脂，所述树脂形成为滴注并流入所述下侧半导体元件与所述上侧半导体元件之间的方式，

其中，所述隔墙图案是在维持从滴注所述树脂的区域通向所述下侧半导体元件的外周的空隙的同时而形成的。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述隔墙图案由焊料形成，且与形成在所述内部电极上的焊料凸块同时地形成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述隔墙图案形成为以将所述多个外部电极按每多个进行包围的方式，并且所述隔墙图案也形成在所述多个外部电极的各个之间。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

在矩形形状的下侧半导体元件表面上形成第一绝缘膜的工序，

在所述第一绝缘膜上形成多个布线图案的工序，

形成沿着所述第一绝缘膜的边而排列的多个外部电极、在所述第一绝缘膜上排列的多个内部电极、在第一绝缘膜上将所述多个外部电极与所述多个内部电极分别电连接的布线图案的工序，

在所述多个布线图案上形成第二绝缘膜的工序，所述第二绝缘膜为薄膜，所述第二绝缘膜的、所述多个内部电极以及所述多个外部电极的区域是开口了的，

以将所述多个外部电极中的每一个或每多个进行包围的方式形成具有空隙的隔墙图案的工序；

以将上侧半导体元件的多个端子分别与所述多个内部电极电连接的方式在所述下侧半导体元件上搭载所述上侧半导体元件的工序；以及

以流入所述下侧半导体元件与所述上侧半导体元件之间的方式滴注而形成树脂的工序，

其中，树脂经由所述空隙滴注到所述下侧半导体元件的外周。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述隔墙图案由焊料形成，并且与形成在所述内部电极上的焊料凸块同时地形成。

6.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，一边维持从滴注所述树脂的区域通向所述下侧半导体元件的外周的空隙，一边形成所述隔墙图案。

7.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，以将所述多个外部电极按每多个进行包围的方式形成所述隔墙图案，并且在所述多个外部电极的各个之间也形成所述隔墙图案。