[发明专利]用于D类音频功率放大器的死区控制电路

摘要

本发明公开了一种用于D类音频功率放大器的死区控制电路，包括第一反相器～第七反相器、第一与非门、第二与非门、第一P沟道绝缘栅双极晶体管～第四P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管～第四N沟道绝缘栅双极晶体管、电感、电容、电阻和直流电源，第一P沟道绝缘栅双极晶体管～第四P沟道绝缘栅双极晶体管和第一N沟道绝缘栅双极晶体管～第四N沟道绝缘栅双极晶体管、第六反相器、第七反相器构成死区时间的控制电路。本发明所述用于D类音频功率放大器的死区控制电路，是一种产生死区时间短的死区控制电路，因而引发的干扰小，功率损耗小。该死区控制电路的输出信号的下降产生的死区时间和上升产生的死区时间相近，失真小。

主权项

一种用于D类音频功率放大器的死区控制电路，其特征在于：包括第一反相器～第七反相器、第一与非门、第二与非门、第一P沟道绝缘栅双极晶体管～第四P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管～第四N沟道绝缘栅双极晶体管、电感、电容、电阻和直流电源，所述第一反相器的输入端为所述死区控制电路的信号控制端，所述第一反相器的输出端同时与所述第一与非门的B输入端、所述第二与非门的A输入端连接，所述第一与非门的A输入端与所述第二反相器的输入端连接并作为所述死区控制电路的信号输入端，所述第二反相器的输出端与所述第二与非门的B输入端连接，所述第二与非门的输出端与所述第三反相器的输入端连接，所述第三反相器的输出端与所述第四反相器的输入端连接，所述第一与非门的输出端与所述第五反相器的输入端连接，所述第五反相器的输出端同时与所述第一P沟道绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第二N沟道绝缘栅双极晶体管的栅极连接，所述第一P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极同时与所述第一N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极、所述第二P沟道绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第七反相器的输入端连接，所述第一N沟道绝缘栅双极晶体管的栅极与所述第六反相器的输出端连接，所述第一N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极与所述第二N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极连接，所述第四反相器的输出端同时与所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的栅极连接，所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极同时与所述第四P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极、所述第四N沟道绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第六反相器的输入端连接，所述第四P沟道绝缘栅双极晶体管的栅极与所述第七反相器的输出端连接，所述第四P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极与所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极连接，所述第二P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极同时与所述第四N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极、所述电感的第一端连接，所述电感的第二端同时与所述电容的第一端、所述电阻的第一端连接，所述直流电源的正极同时与所述第一P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第二P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极连接，所述直流电源的负极同时与所述第二N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第四N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述电容的第二端连接，所述电阻的第二端为所述死区控制电路的信号输出端。