[发明专利]用于D类音频功率放大器的死区控制电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于D类音频功率放大器的死区控制电路，尤其涉及一种用于D类音频功率放大器的死区时间短的死区控制电路。

背景技术

D类音频功率放大器采用开关模式输出，具有很高的效率。但当上下功率管同时导通时，会产生很大的电流，这样不仅增加放大器的功耗，降低放大器的效率，同时还会影响器件的寿命。为此引入死区时间，且目前使用死区电路的D类音频功率放大器的死区时间较长，引发干扰较大进而造成功率损耗大，且失真大。

发明内容

本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种用于D类音频功率放大器的死区时间短的死区控制电路。

本发明通过以下技术方案来实现上述目的：

本发明所述用于D类音频功率放大器的死区控制电路，包括第一反相器～第七反相器、第一与非门、第二与非门、第一P沟道绝缘栅双极晶体管～第四P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管～第四N沟道绝缘栅双极晶体管、电感、电容、电阻和直流电源，所述第一反相器的输入端为所述死区控制电路的信号控制端，所述第一反相器的输出端同时与所述第一与非门的B输入端、所述第二与非门的A输入端连接，所述第一与非门的A输入端与所述第二反相器的输入端连接并作为所述死区控制电路的信号输入端，所述第二反相器的输出端与所述第二与非门的B输入端连接，所述第二与非门的输出端与所述第三反相器的输入端连接，所述第三反相器的输出端与所述第四反相器的输入端连接，所述第一与非门的输出端与所述第五反相器的输入端连接，所述第五反相器的输出端同时与所述第一P沟道绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第二N沟道绝缘栅双极晶体管的栅极连接，所述第一P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极同时与所述第一N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极、所述第二P沟道绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第七反相器的输入端连接，所述第一N沟道绝缘栅双极晶体管的栅极与所述第六反相器的输出端连接，所述第一N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极与所述第二N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极连接，所述第四反相器的输出端同时与所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的栅极连接，所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极同时与所述第四P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极、所述第四N沟道绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第六反相器的输入端连接，所述第四P沟道绝缘栅双极晶体管的栅极与所述第七反相器的输出端连接，所述第四P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极与所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极连接，所述第二P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极同时与所述第四N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极、所述电感的第一端连接，所述电感的第二端同时与所述电容的第一端、所述电阻的第一端连接，所述直流电源的正极同时与所述第一P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第二P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极连接，所述直流电源的负极同时与所述第二N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第四N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述电容的第二端连接，所述电阻的第二端为所述死区控制电路的信号输出端。

本发明的有益效果在于：

本发明所述用于D类音频功率放大器的死区控制电路，是一种产生死区时间短的死区控制电路，因而引发的干扰小，功率损耗小。该死区控制电路的输出信号的下降产生的死区时间和上升产生的死区时间相近，失真小。

附图说明

图1是本发明所述用于D类音频功率放大器的死区控制电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步说明：