[发明专利]硅片双面抛光工艺

摘要

本发明硅片双面抛光工艺，包括：第一步，硅片正面处理，在硅片背面涂覆粘结剂，将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蚀层，使用铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘结剂，使用厚度测定装置对硅片厚度测定；第二步，硅片背面处理，在硅片正面涂覆粘结剂，将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片背面的腐蚀层，使用铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片正面的粘结剂，对硅片表面平坦度进行测定，使用厚度测定装置对硅片厚度测定；第三步，硅片正面最终修整，在硅片背面涂覆粘结剂，将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蚀层，使用铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘结剂和颗粒。本发明取消内衬载体，简化作业流程。

主权项

硅片双面抛光工艺，其特征在于，包括如下步骤：第一步，硅片正面处理，具体为在硅片背面涂覆粘结剂，首先将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蚀层，然后使用铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘结剂，最后使用厚度测定装置对硅片厚度测定；第二步，硅片背面处理，具体为在硅片正面涂覆粘结剂，首先将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片背面的腐蚀层，然后使用铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片正面的粘结剂，对硅片表面平坦度进行测定，最后使用厚度测定装置对硅片厚度测定；第三步，硅片正面最终修整，具体为在硅片背面涂覆粘结剂，首先将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蚀层，然后使用铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘结剂和颗粒。