[发明专利]硅片双面抛光工艺

说明书

技术领域

本发明属于半导体制造领域的硅片抛光工艺，特别是一种硅片双面抛光工艺。

背景技术

原硅片双面抛光工艺流程为：贴付→正面一次抛光→剥离→AC-16洗净→厚度分类→贴付→反面一次抛光→剥离→AC-16洗净→ADE→厚度分类→治具刷洗→硅片嵌入治具上→反面一次抛光→反面二次抛光→手工剥离→治具刷洗→硅片嵌入治具上→正面一次抛光→正面二次抛光→手工剥离→AC-16洗净→AC-14洗净→终检。

此流程合计供给24项，在对于硅片的精抛光过程中，实施的是无蜡型嵌入式载体加工，基本上是纯手工操作，不同规格厚度的硅片需要采用不同厚度的载体，由人工用手一枚一枚嵌入孔内，每次加工一次，再全部取出硅片，再对孔内进行刷洗，刷洗后再嵌入硅片进行加工，以此反复进行，同时也是因人而异，在此实施的过程中，可变因素较多，极易发生作业事故，导致产品及工治具的损坏。

基本可归纳以下几个问题点：

1、作业流程繁琐，操作复杂，作业效率低下；

2、良品率低下；

3、易发生硅片破片及加工治具报废（内衬载体及研磨布）；

4、不同厚度规格产品需要使用不同厚度的载体（需要制作多幅载体）；

5、需另外人员配置及较长时间的人员培训。

发明内容

本发明的目的在于提供一种简化操作流程、大幅提高良品率的硅片双面抛光工艺。

为解决上述技术问题，本发明硅片双面抛光工艺，包括：第一步，硅片正面处理，具体为在硅片背面涂覆粘结剂，首先将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蚀层，然后使用铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘结剂，最后使用厚度测定装置对硅片厚度测定；第二步，硅片背面处理，具体为在硅片正面涂覆粘结剂，首先将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片背面的腐蚀层，然后使用铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片正面的粘结剂，对硅片表面平坦度进行测定，最后使用厚度测定装置对硅片厚度测定；第三步，硅片正面最终修整，具体为在硅片背面涂覆粘结剂，首先将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蚀层，然后使用铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘结剂和颗粒。

所述粘结剂为蜡。所述铲刀的材质为特氟龙。

本发明硅片双面抛光工艺取消内衬载体的使用及实施有蜡贴付抛光，简化作业流程。总结归纳以下几点：

1、完全消除手工作业，良品率有大幅度提高；

2、完全可以利用现有的工治具进行任何该类型产品的加工，无需再增加其他任何购置成本；

3、操作流程简便、作业周期缩短、作业效率高；

4、无需再担心加工过程中发生破片，导致硅片及研磨布的报废；

5、无需再对人员的培训及配置，完全可以在现有的工作模式中完成。

具体实施方式

本发明硅片双面抛光工艺，包括：第一步，硅片正面处理，具体为在硅片背面涂覆蜡，首先将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蚀层，然后使用特氟龙铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片背面的蜡，最后使用厚度测定装置对硅片厚度测定；第二步，硅片背面处理，具体为在硅片正面涂覆蜡，首先将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片背面的腐蚀层，然后使用特氟龙铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片正面的蜡，对硅片表面平坦度进行测定，最后使用厚度测定装置对硅片厚度测定；第三步，硅片正面最终修整，具体为在硅片背面涂覆蜡，首先将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蚀层，然后使用特氟龙铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片背面的蜡和颗粒。

本发明硅片双面抛光工艺完全是利用现有的加工设备，采用有蜡贴付在陶瓷板上。取消载体的使用，正、反两面贴付，以此完成双面抛光硅片的加工。此过程中，完全属于机器自动贴付、抛光完成，人员仅是做简单的搬运陶瓷板动作，所以在此实施过程中，人员手完全没有接触到硅片，硅片表面损伤就大大减少，良率较原工艺相比，整整提高约20%。

本发明硅片双面抛光工艺取消内衬载体的使用及实施有蜡贴付抛光，简化作业流程。总结归纳以下几点：

1、完全消除手工作业，良品率有大幅度提高；

2、完全可以利用现有的工治具进行任何该类型产品的加工，无需再增加其他任何购置成本；

3、操作流程简便、作业周期缩短、作业效率高；

4、无需再担心加工过程中发生破片，导致硅片及研磨布的报废；

5、无需再对人员的培训及配置，完全可以在现有的工作模式中完成。

以上已对本发明创造的较佳实施例进行了具体说明，但本发明创造并不限于实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。