[发明专利]发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310534180.7 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103811621B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 柯竣腾;郭得山;涂均祥;邱柏顺;钟健凯;叶慧君;蔡旻谚;柯淙凯;陈俊扬 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种发光元件及其制造方法。发光元件包含一第一半导体层；以及一透明导电氧化层，其包含一具有一第一金属材料的扩散区域及一不具有第一金属材料的非扩散区域，其中非扩散区域比扩散区域更靠近第一半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，包含：第一半导体层；第二半导体层；主动层，形成于该第一半导体层及该第二半导体层之间，其中该主动层可发出一光线；透明导电氧化层，设置于该第一半导体层上且包含具有第一金属材料的扩散区域以及不包含该第一金属材料的非扩散区域，其中该非扩散区域比该扩散区域更靠近该第一半导体层，该扩散区域的厚度大于![]()
以及金属层，包含该第一金属材料，该金属层形成于该透明导电氧化层的该扩散区域上，来自于该主动层的该光线可以穿透该金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司，未经晶元光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310534180.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
