[发明专利]发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光元件，包含：

第一半导体层；

第二半导体层；

主动层，形成于该第一半导体层及该第二半导体层之间，其中该主动层可发出一光线；

透明导电氧化层，设置于该第一半导体层上且包含具有第一金属材料的扩散区域以及不包含该第一金属材料的非扩散区域，其中该非扩散区域比该扩散区域更靠近该第一半导体层，该扩散区域的厚度大于以及

金属层，包含该第一金属材料，该金属层形成于该透明导电氧化层的该扩散区域上，来自于该主动层的该光线可以穿透该金属层。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中在该扩散区域中的该第一金属材料的浓度于朝向该第一半导体层的方向上逐步递减。

3.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一金属材料包含一元素，选自于IIA族元素及IIIA族元素所构成的群组。

4.如权利要求1所述的发光元件，还包含第一金属材料氧化物，形成于该透明导电氧化层中。

5.如权利要求1所述的发光元件，其中该透明导电氧化层包含不同于该第一金属材料的第二金属材料。

6.如权利要求1所述的发光元件，其中该金属层包含小于的厚度。

7.如权利要求1所述的发光元件，其中该金属层为一不连续层。

8.如权利要求1所述的发光元件，还包含两个电极结构，各具有一布局或一形状，且分别电连接至该第一半导体层及该第二半导体层。

9.如权利要求8所述的发光元件，其中该金属层包含一图案，对应于该两个电极结构之一的该布局或该形状。

10.如权利要求9所述的发光元件，其中该两个电极结构在该透明导电氧化层上包含具有较高电流密度的第一区域及具有较低电流密度的第二区域，其中该金属层的该图案于该第二区域较密集，于该第一区域较稀疏。

11.一种发光元件，包含：

第一半导体层；

第二半导体层；

主动层形成于该第一半导体层及该第二半导体层之间，其中该主动层可发出一光线；

透明导电氧化层，设置于该第一半导体层上且包含具有第一金属材料的扩散区域以及不包含该第一金属材料的非扩散区域，其中该非扩散区域比该扩散区域更靠近该第一半导体层，该扩散区域的厚度大于以及

金属层，包含该第一金属材料并形成于该透明导电氧化层的该扩散区域的上表面，其中该透明导电氧化层包含不同于该第一金属材料的第二金属材料，该透明导电氧化层的厚度大于该金属层的厚度。

12.一种发光元件，包含：

第一半导体层；

第二半导体层；

主动层形成于该第一半导体层及该第二半导体层之间，其中该主动层可发出一光线；

透明导电氧化层，设置于该第一半导体层上且包含具有第一金属材料的扩散区域以及不包含该第一金属材料的非扩散区域，其中该非扩散区域比该扩散区域更靠近该第一半导体层，该扩散区域的厚度大于以及

第一电极包含一图案形成于该透明导电氧化层的上表面，并与该透明导电氧化层直接接触，其中该第一电极露出该透明导电氧化层的部分该上表面。

13.一种发光元件，包含：

第一半导体层；

第二半导体层；

主动层形成于该第一半导体层及该第二半导体层之间；

透明导电氧化层，设置于该第一半导体层上且包含具有第一金属材料的扩散区域以及不包含该第一金属材料的非扩散区域，其中该非扩散区域比该扩散区域更靠近该第一半导体层，该扩散区域的厚度大于

第一电极包含一布局或一形状形成于该透明导电氧化层的上表面；以及金属层形成于该透明导电氧化层的该扩散区域上，其中该金属层包含该第一金属材料，该金属层包含一图案，并对应于该第一电极的该布局或该形状。