[发明专利]LDMOS器件在审
| 申请号： | 201310530476.1 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104600111A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 陈雄斌;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS器件，在传统的N型埋层上漂移区增加了一层P型埋层，且P型埋层是形成于外延之前，其杂质浓度具有梯度分布，利用P型埋层来辅助耗尽N型漂移区，可以减少漂移区的P型注入剂量，从而降低器件漂移区表面的浓度，减少对器件的影响。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 | ||
【主权项】：
一种LDMOS器件，在N型埋层之上的P型外延中具有体区，以及体区一侧垂直投影重合的漏端N型漂移区和P型区，所述P型区位于N型漂移区下方；在N型漂移区中具有浅槽隔离结构；浅槽隔离结构远离体区的一侧具有LDMOS器件的漏区；所述体区中还具有体区引出区及所述LDMOS器件的源区；外延表面具有栅氧及所述LDMOS器件的多晶硅栅极及栅极侧墙；多晶硅栅极之上具有金属硅化物；其特征在于：所述的N型埋层之上与体区及P型区之间具有P型埋层。
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