[发明专利]LDMOS器件在审
| 申请号： | 201310530476.1 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104600111A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 陈雄斌;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种LDMOS器件，在N型埋层之上的P型外延中具有体区，以及体区一侧垂直投影重合的漏端N型漂移区和P型区，所述P型区位于N型漂移区下方；在N型漂移区中具有浅槽隔离结构；浅槽隔离结构远离体区的一侧具有LDMOS器件的漏区；
所述体区中还具有体区引出区及所述LDMOS器件的源区；外延表面具有栅氧及所述LDMOS器件的多晶硅栅极及栅极侧墙；多晶硅栅极之上具有金属硅化物；其特征在于：所述的N型埋层之上与体区及P型区之间具有P型埋层。
2.如权利要求1所述的一种LDMOS器件，其特征在于：所述P型埋层往体区方向延伸是至少超过体区0.1μm，但不超出体区。
3.如权利要求1所述的一种LDMOS器件，其特征在于：所述P型埋层往漏端方向延伸是至少超过N型漂移区0.1μm。
4.如权利要求1所述的一种LDMOS器件，其特征在于：所述漏端漂移区的P型区是通过P型埋层向上扩散及掩膜离子注入共同形成。
5.如权利要求1所述的一种LDMOS器件，其特征在于：所述垂直投影重合的N型漂移区和P型区是利用同一张掩膜版实现。
6.如权利要求1所述的一种LDMOS器件，其特征在于：所述LDMOS器件的漏端漂移区是利用N型漂移区及P型区互相耗尽。
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