[发明专利]一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其制备方法在审
| 申请号： | 201310527930.8 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103571665A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 郭万东;孟祥法;董培才 | 申请（专利权）人： | 合肥中南光电有限公司 |
| 主分类号： | C11D10/02 | 分类号： | C11D10/02 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 231600 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，由下列重量份的原料制成：乌洛托品3-4、柠檬酸钠2-3、碳酸钠1-2、纤维素酶2-3、硫代琥珀酸钠3-4、乙醇30-40、正丁醇4-5、月硅酸聚氧乙烯酯1-2、月桂醇聚氧乙烯醚3-5、助剂4-5、去离子水100-120。本发明清洗剂的表面活性剂协同效应好，对有机物、金属离子溶解能力强，对无机物清除能力强；对氧化膜清除效果好，清洗彻底，腐蚀性小，适用于集成电路衬底硅片清洗。本发明的助剂能够在硅片表面形成保护膜，隔绝空气，防止大气中水及其他分子腐蚀硅片，抗氧化，方便下一步制作工艺进行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 集成电路 衬底 硅片 洗剂 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于由下列重量份的原料制成：乌洛托品3‑4、柠檬酸钠2‑3、碳酸钠1‑2、纤维素酶2‑3、硫代琥珀酸钠3‑4、乙醇30‑40、正丁醇4‑5、月硅酸聚氧乙烯酯1‑2、月桂醇聚氧乙烯醚3‑5、助剂4‑5、去离子水100‑120；所述助剂由下列重量份的原料制成：硅烷偶联剂KH‑570 2‑3、抗氧剂1035 1‑2、植酸1‑2、吗啉3‑4、甲基丙烯酸‑2‑ 羟基乙酯3‑4、乙醇12‑15；制备方法是将硅烷偶联剂KH‑570 、植酸、乙醇混合，加热至60‑70℃，搅拌20‑30分钟后，再加入其它剩余成分，升温至80‑85℃，搅拌30‑40分钟，即得。
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