[发明专利]半导体单元无效

专利信息
申请号: 201310526888.8 申请日: 2013-10-30
公开(公告)号: CN103811477A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 西槙介;森昌吾;音部优里;加藤直毅 申请(专利权)人: 株式会社丰田自动织机
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L29/06
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 田军锋;高源
地址: 日本爱知*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种半导体单元,其包括:绝缘基片,该绝缘基片具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;第一传导层,该第一传导层结合至绝缘基片的第一表面;第二传导层,该第二传导层在与第一传导层的位置不同的位置处结合至绝缘基片的第一表面;应力消除层,该应力消除层结合至绝缘基片的第二表面;散热装置,该散热装置在应力消除层的与绝缘基片相反的一侧上结合至应力消除层;以及半导体器件,该半导体器件电结合至相应的第一和第二传导层。绝缘基片具有低刚性部分,该低刚性部分设置在第一和第二传导层之间并且具有比绝缘基片的其余部分低的刚性,并且至少低刚性部分通过模具树脂密封和覆盖。
搜索关键词: 半导体 单元
【主权项】:
一种半导体单元,包括:绝缘基片,所述绝缘基片具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面;第一传导层,所述第一传导层结合至所述绝缘基片的所述第一表面;第二传导层,所述第二传导层在与所述第一传导层的位置不同的位置处结合至所述绝缘基片的所述第一表面;应力消除层,所述应力消除层结合至所述绝缘基片的所述第二表面;散热装置,所述散热装置在所述应力消除层的与所述绝缘基片相反的一侧上结合至所述应力消除层;以及半导体器件,所述半导体器件电结合至相应的所述第一传导层和所述第二传导层,其特征在于,所述绝缘基片具有低刚性部分,所述低刚性部分设置在所述第一传导层和所述第二传导层之间且具有比所述绝缘基片的其余部分低的刚性,并且至少所述低刚性部分通过模具树脂进行密封和覆盖。
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