[发明专利]半导体单元无效
| 申请号： | 201310526888.8 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103811477A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 西槙介;森昌吾;音部优里;加藤直毅 | 申请（专利权）人： | 株式会社丰田自动织机 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 田军锋;高源 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 单元 | ||
1.一种半导体单元，包括：
绝缘基片，所述绝缘基片具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；
第一传导层，所述第一传导层结合至所述绝缘基片的所述第一表面；
第二传导层，所述第二传导层在与所述第一传导层的位置不同的位置处结合至所述绝缘基片的所述第一表面；
应力消除层，所述应力消除层结合至所述绝缘基片的所述第二表面；
散热装置，所述散热装置在所述应力消除层的与所述绝缘基片相反的一侧上结合至所述应力消除层；以及
半导体器件，所述半导体器件电结合至相应的所述第一传导层和所述第二传导层，
其特征在于，所述绝缘基片具有低刚性部分，所述低刚性部分设置在所述第一传导层和所述第二传导层之间且具有比所述绝缘基片的其余部分低的刚性，并且至少所述低刚性部分通过模具树脂进行密封和覆盖。
2.根据权利要求1所述的半导体单元，其中，通过至少在所述绝缘基片的所述第一表面和所述第二表面之一中形成的凹进部来提供所述低刚性部分。
3.根据权利要求1或2所述的半导体单元，其中，通过在所述绝缘基片中形成的沟槽来提供所述低刚性部分。
4.根据权利要求1或2所述的半导体单元，其中，通过贯穿所述绝缘基片形成的多个孔来提供所述低刚性部分。
5.根据权利要求3所述的半导体单元，其中，所述沟槽具有矩形横截面。
6.根据权利要求3所述的半导体单元，其中，所述沟槽具有V形横截面。
7.根据权利要求3所述的半导体单元，其中，所述沟槽形成在所述绝缘基片的面向所述应力消除层的一侧上。
8.根据权利要求7所述的半导体单元，其中，所述沟槽沿着形成在所述应力消除层的面向所述绝缘基片的一侧上的凹进部而形成在所述绝缘基片中。
9.根据权利要求1所述的半导体单元，其中，所述应力消除层包括与所述第一传导层相关联的第一应力消除层和与所述第二传导层相关联的第二应力消除层。
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