[发明专利]防止磷掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法在审
| 申请号： | 201310524355.6 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104576312A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 周硕;李伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种防止磷掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法，采用pH值介于5～7的弱酸对该晶圆执行一清洗步骤，使磷离子与弱酸电解产生的氢离子结合形成磷酸，从而磷酸在清洗过程中可直接挥发掉或者被水冲洗掉，有效减少了晶圆表面磷离子的数量，使得清洗后的晶圆即使长时间暴露在含有水汽的环境中也不会形成晶体状缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 掺杂 氧化 表面 产生 晶体 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种防止磷掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法，包括：提供一表面形成有磷掺杂硅氧化膜的晶圆；以及采用pH值介于5～7的弱酸对该晶圆执行一清洗步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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