[发明专利]防止磷掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法在审
| 申请号： | 201310524355.6 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104576312A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 周硕;李伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 掺杂 氧化 表面 产生 晶体 缺陷 方法 | ||
1.一种防止磷掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法，包括：
提供一表面形成有磷掺杂硅氧化膜的晶圆；以及
采用pH值介于5～7的弱酸对该晶圆执行一清洗步骤。
2.如权利要求1所述的防止磷掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法，其特征在于，所述弱酸的pH值介于6～7之间。
3.如权利要求1所述的防止磷掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法，其特征在于，所述磷掺杂硅氧化膜是磷硅玻璃。
4.如权利要求1所述的防止磷掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法，其特征在于，所述磷掺杂硅氧化膜是掺磷的氮氧化硅。
5.如权利要求1所述的防止磷掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法，其特征在于，所述磷掺杂硅氧化膜是硼磷硅玻璃。
6.如权利要求1所述的防止磷掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法，其特征在于，所述弱酸是碳酸。
7.如权利要求6所述的防止磷掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法，其特征在于，采用pH值介于5～7的弱酸对该晶圆执行一清洗步骤中，将表面形成有磷掺杂硅氧化膜的晶圆置于晶圆擦洗装置中清洗，并于清洗过程中不断向去离子水中通入二氧化碳，形成pH值介于5～7的碳酸。
8.如权利要求1所述的防止磷掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法，其特征在于，采用化学气相淀积工艺在晶圆上形成磷掺杂硅氧化膜。
9.如权利要求8所述的防止磷掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法，其特征在于，采用高密度等离子体化学气相淀积工艺在晶圆上形成磷掺杂硅氧化膜。
10.如权利要求1所述的防止磷掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法，其特征在于，所述磷掺杂硅氧化膜用作金属前介电绝缘层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
