[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310521766.X | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104037228B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 姜守昶;金荣载 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：设置在衬底内的沟槽，所述沟槽包括宽度比下沟槽部宽的上沟槽部；设置在沟槽中的栅极；设置在沟槽中的栅极上方的层间绝缘层图案；设置在衬底内并且与上沟槽部的侧壁接触的源极区；设置在衬底中的源极区下方的本体区；以及设置在本体区上方并且填充有导电材料的接触沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 衬底 上沟槽部 源极区 层间绝缘层图案 侧壁接触 导电材料 接触沟槽 下沟槽部 宽度比 填充 制造 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：设置在衬底的外延层内的沟槽，所述沟槽具有宽度比下沟槽部宽的上沟槽部；设置在所述沟槽的所述下沟槽部的内表面上的栅极绝缘层；设置在所述沟槽的所述下沟槽部内的栅极；设置在位于包括所述栅极的所述沟槽内的所述栅极绝缘层上的层间绝缘层图案；设置在所述衬底内并且接触所述沟槽的所述上沟槽部的侧壁的源极区；设置在所述衬底的所述外延层内的本体区；填充有金属的接触沟槽，所述接触沟槽使所述源极区和所述本体区彼此接触；以及形成在所述接触沟槽之下的杂质区，所述杂质区具有与所述本体区相同类型的杂质并且具有比所述本体区高的杂质浓度。
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