[发明专利]一种底发射基板、显示装置及该基板的制造方法无效
| 申请号： | 201310517210.3 | 申请日： | 2013-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103531610A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 舒适;谷敬霞;孔祥春;张锋;惠官宝 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及基板制造技术领域，特别涉及一种底发射基板、显示装置及该基板的制造方法，用于提高光的利用率，以及减轻环境光反射产生的影响，进而提高显示装置的显示效果。本发明公开了一种底发射基板，包括：衬底基板；设置于所述衬底基板上、具有多个开口区和多个非开口区的黑矩阵层；以及设置于所述黑矩阵层上的阵列基板单元，所述阵列基板单元中的各个金属层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区内。本发明同时还公开了上述底发射基板的制造方法，以及包括上述底发射基板的显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种底发射基板，其特征在于，包括：衬底基板；设置于所述衬底基板上、具有多个开口区和多个非开口区的黑矩阵层；以及设置于所述黑矩阵层上的阵列基板单元，所述阵列基板单元中的各个金属层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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