[发明专利]一种底发射基板、显示装置及该基板的制造方法无效
| 申请号: | 201310517210.3 | 申请日: | 2013-10-28 |
| 公开(公告)号: | CN103531610A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
| 发明(设计)人: | 舒适;谷敬霞;孔祥春;张锋;惠官宝 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 发射 显示装置 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及基板制造技术领域,特别涉及一种底发射基板、显示装置及该基板的制造方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting devices,以下简称OLED)面板与液晶面板相比,因具有轻薄、低功耗、颜色纯正、广视角、可柔性等优点而得到广泛应用。
现有一种底发射OLED面板,采用白光OLED以及彩色滤光片整合阵列基板(Color Filter On Array,以下简称COA)技术,即底发射OLED面板采用白光OLED和COA基板,该底发射的OLED面板的制作工艺包括:首先在玻璃基板上进行阵列(Array)工艺以形成阵列基板单元,然后在阵列基板单元上进行彩色滤光片工艺,将彩色滤光片整合于阵列基板单元上,上述两步即可形成COA基板,之后在彩色滤光片上制作电致发光层(以下简称EL层),最后进行封装形成OLED面板;EL层发出的光会穿过彩色滤光片、阵列基板单元和玻璃基板被观察者接收,因此,上述OLED面板被称为底发射结构或底发射OLED面板。
底发射OLED面板为了减轻环境光反射产生的影响,通常在底发射OLED面板观查者一侧贴附偏光片,不过偏光片会过滤60%左右的出射光,导致光的利用率较低;如果不贴附偏光片,虽然光的利用率较高,但COA基板中的栅极层、源漏极层、有源层等金属层会对环境光反射,从而降低底发射OLED面板的对比度及色域,影响底发射OLED面板的显示效果。因此,如何提供一种光的利用率高、并可减轻环境光反射产生的影响的底发射基板成为本领域技术人员急需解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种底发射基板、显示装置及该底发射基板的制造方法,用于提高光的利用率,以及减轻环境光反射产生的影响,进而提高显示装置的显示效果。
为了实现上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种底发射基板,包括:
衬底基板;
设置于所述衬底基板上、具有多个开口区和多个非开口区的黑矩阵层;
以及设置于所述黑矩阵层上的阵列基板单元,所述阵列基板单元中的各个金属层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区内。
优选地,在所述黑矩阵层中,所述多个开口区呈阵列状排列,所述多个非开口区间隔设置在所述多个非开口区之间。
优选地,所述阵列基板单元包括:
设置于所述黑矩阵层上的栅线和栅极层,且所述栅线和所述栅极层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区域内;
覆盖于所述栅极层的栅极绝缘层;
设置于所述栅极绝缘层上的有源层,且所述有源层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区内;
设置于所述有源层上的数据线和源漏极层,且所述数据线和所述源漏极层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区内;
以及覆盖于所述源漏极层的钝化层。
进一步地,上述底发射基板还包括:设置于所述阵列基板单元上的彩色滤光片,以及设置于所述彩色滤光片上的透明电极层。
本发明同时还提供了一种显示装置,包括:具有上述技术特征的底发射基板。
本发明同时还提供了一种底发射基板的制造方法,包括:
在衬底基板上形成具有多个开口区和多个非开口区的黑矩阵层;
在所述黑矩阵层上形成阵列基板单元,且所述阵列基板单元中的各个金属层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区内。
优选地,在衬底基板上形成具有多个开口区和多个非开口区的黑矩阵层具体包括:
在衬底基板上形成黑色光阻材料层;
通过掩膜、刻蚀工艺,形成具有多个开口区和多个非开口区的黑矩阵层。
优选地,在所述黑矩阵层上形成阵列基板单元具体包括:
在所述黑矩阵层上形成图形化的栅线和栅极层,且所述栅线和所述栅极层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区内;
形成覆盖所述栅极层的栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层上形成图形化的有源层,且所述有源层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区内;
在所述有源层上形成图形化的数据线和源漏极层,且所述数据线和所述源漏极层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区内;
以及形成在所述源漏极层上的钝化层。
进一步地,上述底发射基板的制造方法还包括:
形成在所述阵列基板单元上的彩色滤光片;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310517210.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





