[发明专利]一种基于击穿现象传感器的稳压器

摘要

一种基于击穿现象传感器的稳压器，其特征是：一个第一场效应晶体管（FET），它的漏极连接到第一端子，它的源极连接到地电势，它的栅极连接到自己的源极；一个电阻连接在电压源和第一端子之间；一个第二场效应晶体管，它的源极连接到第一端子，漏极和栅极共同连接到第二端子；一个第三场效应晶体管，它的漏极连接到电压源，它的源极连接到第二端子，栅极连接到电阻和第一场效应晶体管的漏极之间的交叉点；其他几个场效应晶体管各自按序联接，通过具体实施获得一种用来提供控制的电压到电路的稳压器。

主权项

一种基于击穿现象传感器的稳压器，其特征是：一种用来提供控制的电压到电路的稳压器包括：一个第一场效应晶体管（FET），它的漏极连接到第一端子，它的源极连接到地电势，它的栅极连接到自己的源极；一个电阻连接在电压源和第一端子之间；一个第二场效应晶体管，它的源极连接到第一端子，漏极和栅极共同连接到第二端子；一个第三场效应晶体管，它的漏极连接到电压源，它的源极连接到第二端子，栅极连接到电阻和第一场效应晶体管的漏极之间的交叉点；一个第四场效应晶体管，它的漏极连接到第二端子，它的源极被连接来提供一个输出信号；一个第五场效应晶体管，它的漏极连接到电压源，它的源极连接到第六场效应晶体管的漏极，它的漏极连接到第一端子；一个第六场效应晶体管，它的漏极连接到第五场效应晶体管的源极，它的源极连接到第二端子，它的栅极连接到它的漏极；一个电容，一端连接在第五场效应晶体管的源极和第六场效应晶体管的漏极之间，另一端连接到谐振振荡器；其中第一场效应晶体管的沟道长度与电路中的场效应晶体管的沟道长度相一致。