[发明专利]一种基于击穿现象传感器的稳压器

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路，特别是一个集成的，高精确度的稳压器。

背景技术

MOS场效应晶体管（MOSFET ）的微型化是一种传统的方法在高密度动态随机存取存储器（DRAM ）的发展。然而，亚微米几何构型的MOSFET可能源/漏电流穿通，以及衬底电流穿通。解决方法之一就是减小电源电压V_cc低于5V。然而这种减小电源电压与希望兼容晶体管-晶体管逻辑电路（TTL）还有其他5 V单电源设计的愿望冲突了。

为了解决这个矛盾，一个芯片上的电压稳压器已被提出，利用一个外部的5 V电源提供包含一个相对较小的晶体管数量的I / O电路，而由一个低电压的转换器供给电路的主要部分，如图1所示。电压转换电路是根据四个在二极管配置下顺序连接的MOSFET： M1 、M2 、M3和M4。如此的电压转换器的缺点是，在源/漏穿通电压被连接到四个晶体管M1 - M4的阈值电压。例如，如果每一个晶体管的阈值变化± 0.2 V ，然后该转换器的输出电压具有的不确定性系数就为±0.8 V 。

发明内容

本发明提供了一种稳压电路，用于产生一个控制电压。

本发明的技术解决方案是：

这个稳压器包括一个第一场效应晶体管（FET），它的漏极连接到第一端子，它的源极连接到地电势，它的栅极连接到自己的源极。有一个电阻连接在电压源和第一端子之间。有一个第二场效应晶体管，它的源极连接到第一端子，漏极和栅极共同连接到第二端子。有一个第三场效应晶体管，它的漏极连接到电压源，它的源极连接到第二端子，栅极连接到电阻和第一场效应晶体管的漏极之间的交叉点。有一个第四场效应晶体管，它的漏极连接到第二端子，它的源极被连接来提供一个输出信号。有一个第五场效应晶体管，它的漏极连接到电压源，它的源极连接到第六场效应晶体管的漏极，它的漏极连接到第一端子。有一个第六场效应晶体管，它的漏极连接到第五场效应晶体管的源极，它的源极连接到第二端子，它的栅极连接到它的漏极。有一个电容，一端连接在第五场效应晶体管的源极和第六场效应晶体管的漏极之间，另一端连接到谐振振荡器。根据现有的发明，第一场效应晶体管的沟道长度与电路中的场效应晶体管的沟道长度相一致。

对比专利文献：CN202854636 新型稳压器201220571447.0 。

附图说明：

图1展示了传统的电压转换器电路的示意图。

图2展示了在根据本发明的一个稳压电路的一个实例的示意图。

具体实施方式：

根据本发明的基于击穿现象传感器的稳压器10展示在图2中。

如图2所示，本发明的稳压器包括场效应晶体管（FET）12，它的漏极连接到节点A，源极连接到地电势，栅极连接到它的源极。一个电阻R连接在5V的电源和节点A之间。一个第二场效应晶体管14连接在节点A和节点B之间，这样它的源极连接到节点A，漏极和栅极可共同连接到节点B。一个第三场效应晶体管16，它的漏极连接到电源Vcc，源极连接到节点B，栅极连接到电阻R和场效应晶体管12的漏极之间的连接点。一个第四场效应晶体管18，它的漏极连接到电源Vcc栅极连接到节点B，源极连接到提供输出信号的输出端。两个另外的场效应晶体管20和22顺序连接在电源Vcc和节点B跟场效应晶体管18的栅极之间的连接点之间。场效应晶体管20的漏极连接到电源Vcc,源极连接到场效应晶体管22的漏极，栅极连接到节点A。场效应晶体管22的漏极连接到场效应晶体管20的源极，它的源极连接到节点B，栅极连接到它的漏极。一个电容C，它的一端连接到场效应晶体管20的源极与场效应晶体管22的漏极之间的连接点，另一端连接到一个谐振振荡器。