[发明专利]面向片上集成的热电器件制备方法有效
| 申请号： | 201310503144.4 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103515524A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 王珍;祁洋洋;张明亮;杨富华;王晓东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种面向片上集成的热电器件制备方法，包括：在衬底上淀积第一绝缘材料层；光刻形成纳米线结构；去除纳米线结构上的第一绝缘材料层并填充第二绝缘材料层；回刻；去除纳米线结构一侧周围的第二绝缘材料层；在基片上淀积第三绝缘材料层，并开孔，在开了孔的基片上淀积第一金属材料层，刻蚀部分第一金属材料层，使其暴露出部分第三绝缘材料层；在具有上下电极的基片上淀积第四绝缘材料层及第二金属材料层，采用光刻和剥离的方法在第二金属材料层形成蛇形电阻；在第四绝缘材料层上开孔，暴露出第一金属材料层；在暴露出的第一金属材料层和第二金属材料层上淀积一层第三金属材料层，该第三金属材料层为加厚电极，完成制备。 | ||
| 搜索关键词： | 面向 集成 热电器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种面向片上集成的热电器件制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层，作为形成纳米线的硬掩膜；步骤2：采用光刻和刻蚀的方法，形成纳米线结构；步骤3：去除纳米线结构上的第一绝缘材料层，并在衬底上和纳米线结构的周围填充第二绝缘材料层，以支撑纳米线结构；步骤4：回刻，露出纳米线结构的尖端；步骤5：利用光刻和刻蚀的方法，去除纳米线结构一侧周围的第二绝缘材料层，形成基片；步骤6：在基片上淀积一层第三绝缘材料层，并在第三绝缘材料层上开孔，露出纳米线结构的尖端，及部分衬底；步骤7：在开了孔的基片上淀积一层第一金属材料层，刻蚀部分第一金属材料层，使其暴露出部分第三绝缘材料层，保留的第一金属材料层在纳米线结构上的为上电极，在衬底上的为下电极；步骤8：在具有上下电极的基片上淀积一层第四绝缘材料层及第二金属材料层，采用光刻和剥离的方法，使第二金属材料层形成蛇形电阻；步骤9：在第四绝缘材料层上开孔，暴露出第一金属材料层；步骤10：在暴露出的第一金属材料层和第二金属材料层上淀积一层第三金属材料层，该第三金属材料层为加厚电极，完成制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310503144.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：家用测风仪
- 下一篇：一种泥沙群体沉速的测量方法及测量装置
