[发明专利]一种发光二极管芯片制作方法有效
| 申请号： | 201310497918.7 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103500783A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 郑建森;林素慧;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片制作方法，至少包括如下步骤：1）在蓝宝石衬底上形成掩膜层，其至少包括若干个第一尺寸图案，使得后续生长的外延层无法愈合连接在一起；2）在制作完掩膜层的蓝宝石衬底上形成外延层，其在外延层的内侧表面形成若干个上宽下窄的倒台状洞穴，所述洞穴在垂直方向上贯穿整个外延层，减少发光二极管内部发生全反射现象。此制作方法可提升芯片出光效率，改善劈裂良率，降低漏电不良率，提高产品的整体良率，进而提供外观、光电参数良好的发光二极管芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片制作方法，其特征在于：至少包括如下步骤：1）在蓝宝石衬底上形成掩膜层，其至少包括若干个第一尺寸图案，使得后续生长的外延层无法愈合连接在一起；2）在制作完掩膜层的蓝宝石衬底上形成外延层，其在外延层的内侧表面形成若干个上宽下窄的倒台状洞穴，所述洞穴在垂直方向上贯穿整个外延层，减少发光二极管内部发生全反射现象。
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