[发明专利]一种发光二极管芯片制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片制作方法，其特征在于：至少包括如下步骤：

1）在蓝宝石衬底上形成掩膜层，其至少包括若干个第一尺寸图案，使得后续生长的外延层无法愈合连接在一起；

2）在制作完掩膜层的蓝宝石衬底上形成外延层，其在外延层的内侧表面形成若干个上宽下窄的倒台状洞穴，所述洞穴在垂直方向上贯穿整个外延层，减少发光二极管内部发生全反射现象。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片制作方法，其特征在于：所述第一尺寸图案的线径为10~30μm，间距为5~20μm。

3.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片制作方法，其特征在于：所述步骤1）形成的掩膜层还包括若干个第二尺寸图案，用于将所述蓝宝石衬底定义出若干个单元区域，所述第一尺寸图案位于各个单元区域内，从而在步骤2）中各单元区域内的外延层外侧表面形成呈上窄下宽的台状结构，减少发光二极管内部发生全反射现象。

4.根据权利要求3所述的一种发光二极管芯片制作方法，其特征在于：所述第二尺寸图案为闭合环状，环宽为15~40μm。

5.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片制作方法，其特征在于：所述步骤1）形成的掩膜层还包括若干个第三尺寸图案，从而在步骤2）中在所述第三尺寸图案上进行横向外延生长的同时，增强光在外延层和蓝宝石衬底界面散射。

6.根据权利要求5所述的一种发光二极管芯片制作方法，其特征在于：所述第三尺寸图案的线径为0.1~5μm，间距为0.2~5μm。

7.根据权利要求5所述的一种发光二极管芯片制作方法，其特征在于：所述第一尺寸图案、第三尺寸图案呈周期性分布，形状为圆形或者椭圆形或者多边形中的一种或前述任意组合之一。

8.根据权利要求5所述的一种发光二极管芯片制作方法，其特征在于：所述第一尺寸图案与第三尺寸图案的个数比例为1:50~1:10。

9.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片制作方法，其特征在于：还包括在步骤1）后，对蓝宝石衬底进行蚀刻，使得未被掩膜层保护的蓝宝石衬底被蚀刻，从而形成图形化蓝宝石衬底。

10.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片制作方法，其特征在于：还包括在步骤2）后，采用蚀刻工艺去除裸露出来的掩膜层。