[发明专利]一种电子束缺陷检测方法有效
| 申请号： | 201310495814.2 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103500722A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子束缺陷检测方法，包括以下步骤：以特定顺序对所述多个芯片的多个检测区域进行电子束扫描，获得所述多个芯片的影像数据；其中所述特定顺序为对在检测方向上相邻的所述检测区域不连续扫描；以及将所述多个芯片的影像数据进行比对，以查找出所述待测晶圆的缺陷位置。本发明能够有效减少电子束扫描过程中已检测区域表面残余电子对相邻待检测区域的影响，实现了稳定、准确的电子束缺陷扫描检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子束 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种电子束缺陷检测方法，用于对待测晶圆上多个芯片进行缺陷检测，其特征在于，每一所述芯片包含多个检测区域，所述检测方法包括： 步骤S1：以特定顺序对所述多个芯片的多个检测区域进行电子束扫描，获得所述多个芯片的影像数据；其中所述特定顺序为对在检测方向上相邻的所述检测区域不连续扫描；以及 步骤S2：将所述多个芯片的影像数据进行比对，以查找出所述待测晶圆的缺陷位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
