[发明专利]一种电子束缺陷检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶圆缺陷检测方法，尤其涉及一种稳定的电子束缺陷检测方法。

背景技术

由于集成电路制造本身工艺的复杂度不断地提高，为了能够在实际的生产过程中及时的发现问题并采取相应的措施，一般都会在制造过程配置一定数量的光学和电子的缺陷检测设备。通用的缺陷检测的工作原理是将芯片上的物理图像转换成为可由不同亮暗灰阶表示的数据图像，再通过与其它芯片上的数据比较来检测有问题的缺陷位置。请参见图1，其所示为一个晶圆上的完整的芯片分布图，图2所示为该晶圆上一个具体芯片的检测区域分布图，通常每一个芯片具有多个检测区域，即图中的长方形区域，这些检测区域为实际需要进行扫描的位置。

目前，在业内现有的电子束缺陷检测的方法主要采用两种，第一种方法如图3所示，一束电子束从晶圆的一边到另一边（水平或垂直方向）进行连续的扫描并进行数据比对。另一种方法如图4所示，首先对一个芯片的检测区域进行连续的扫描，然后再对另两个芯片进行扫描，最后再进行数据的比对来检测有问题的缺陷位置。然而，由于电子束在芯片上进行连续扫描后，检测区域表面残留的电子并不能马上消除，以至于影响相邻的还未被检测的区域。请参见图5左图，由通孔的电子束影像可知该通孔未收到相邻表面电荷影响。请参见图5右图，由通孔的影像可知其受到了相邻表面电荷的影响。通过对图5的通孔影像照片进行对比可知，受到相邻表面电荷影响的通孔产生了十分明显的形变，当对这些受到相邻电子束影响而发生形变的通孔进行电子束检测时，会出现大量的噪音，造成真正的缺陷很难被识别出来，并增加了工程判断的难度。

因此，寻找一种能够在进行电子束扫描时避免产生检测区域相互影响的稳定的电子束缺陷检测方法就显得尤为重要。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种能够实现稳定的电子束缺陷检测方法。

本发明是通过以下技术方案实现的：

一种电子束缺陷检测方法，用于对待测晶圆上多个芯片进行缺陷检测，其中每一所述芯片包含多个检测区域；所述电子束缺陷检测方法包括以下步骤：

步骤S1：以特定顺序对所述多个芯片的多个检测区域进行电子束扫描，获得所述多个芯片的影像数据；其中所述特定顺序为对在检测方向上相邻的所述检测区域不连续扫描；以及步骤S2：将所述多个芯片的影像数据进行比对，以查找出所述待测晶圆的缺陷位置。

优选的，以特定顺序对所述多个芯片的多个检测区域进行电子束扫描的步骤包括：对所述多个芯片的多个检测区域分别标注序号，其中，在所述检测方向上相邻的所述检测区域的序号不连续；以及依据所述检测区域的序号的顺序，连续进行电子束扫描

优选的，所述检测方向为水平方向或垂直方向。

优选的，当所述检测方向为水平方向时，相邻序号的所述检测区域在垂直方向上的位置不同或在水平方向上不相邻。

优选的，当所述检测方向为垂直方向时，相邻序号的所述检测区域在水平方向上的位置不同或在垂直方向上不相邻。

优选的，所述特定顺序为对所述多个芯片依次进行电子束扫描，且对每一所述芯片的多个所述检测区域进行电子束扫描时对在所述检测方向上相邻的所述检测区域不连续扫描。

本发明通过晶圆内芯片上不同检测区域依据特定顺序进行电子束扫描，以避免检测方向上相邻的检测区域被连续扫描，从而降低了待检测区域由于相邻已检测区域表面残余电子影响而产生的形变，实现了稳定、准确的电子束缺陷扫描检测。

附图说明

图1所示为现有技术中一晶圆上的完整的芯片分布示意图；

图2所示为现有技术中晶圆内一个芯片的检测区域分布图；

图3和图4所示为现有技术的电子束缺陷检测方法示意图；

图5所示为采用现有技术的电子束缺陷检测方法未受到和受到相邻检测区域表面电子影响的通孔影像图；

图6和图7所示为本发明一实施例电子束缺陷检测方法的示意图；

图8所示为本发明一实施例电子束缺陷检测方法的流程图。

具体实施方式

为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。

下面将结合图6至图8详细描述根据本发明的电子束检测方法的一较佳实施例。

如图8所示，本发明一实施例电子束缺陷检测方法包括以下步骤：