[发明专利]监控电子束扫描仪间匹配度的方法有效
| 申请号: | 201310495398.6 | 申请日: | 2013-10-21 |
| 公开(公告)号: | CN103531499A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
| 发明(设计)人: | 范荣伟;刘飞珏;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种监控电子束扫描仪间匹配度的方法,用于监测第一电子束扫描仪与第二电子束扫描仪之间的匹配度,包括如下步骤:在不同枚CMOS晶圆的第一区域分别定义至少一测试单元;在各测试单元上分别形成导电层、介电层以及多个连接孔阻断缺陷;第一、第二电子束扫描仪分别以正负载模式扫描不同枚CMOS晶圆上的测试单元,以检测阻断缺陷;根据对阻断缺陷的检测结果计算第一电子束扫描仪与第二电子束扫描仪之间的匹配度;更换CMOS晶圆,重复进行上述步骤。该方法使得电子束扫描仪间的匹配度更贴近真实情况,其实施简单便利、有利于在半导体行业领域内推广。 | ||
| 搜索关键词: | 监控 电子束 扫描仪 匹配 方法 | ||
【主权项】:
一种监控电子束扫描仪间匹配度的方法,用于监测第一电子束扫描仪与第二电子束扫描仪之间的匹配度,包括如下步骤:a)、在不同枚CMOS晶圆的第一区域分别定义至少一测试单元;其中,所述CMOS晶圆包括多个芯片单元,各所述芯片单元上垂直分布有导电层与介电层,所述介电层中贯通形成有多个连接孔,所述连接孔中填充有金属以越过所述介电层向下连接所述导电层;b)、在各所述测试单元上分别形成所述导电层、介电层以及多个连接孔阻断缺陷;c)、所述第一、第二电子束扫描仪分别以正负载模式扫描所述不同枚CMOS晶圆上的测试单元,以检测所述阻断缺陷;d)、根据对所述阻断缺陷的检测结果计算所述第一电子束扫描仪与第二电子束扫描仪之间的匹配度;e)、更换所述CMOS晶圆,回到所述步骤a)继续进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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