[发明专利]监控电子束扫描仪间匹配度的方法有效

专利信息
申请号: 201310495398.6 申请日: 2013-10-21
公开(公告)号: CN103531499A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 范荣伟;刘飞珏;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;林彦之
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种监控电子束扫描仪间匹配度的方法,用于监测第一电子束扫描仪与第二电子束扫描仪之间的匹配度,包括如下步骤:在不同枚CMOS晶圆的第一区域分别定义至少一测试单元;在各测试单元上分别形成导电层、介电层以及多个连接孔阻断缺陷;第一、第二电子束扫描仪分别以正负载模式扫描不同枚CMOS晶圆上的测试单元,以检测阻断缺陷;根据对阻断缺陷的检测结果计算第一电子束扫描仪与第二电子束扫描仪之间的匹配度;更换CMOS晶圆,重复进行上述步骤。该方法使得电子束扫描仪间的匹配度更贴近真实情况,其实施简单便利、有利于在半导体行业领域内推广。
搜索关键词: 监控 电子束 扫描仪 匹配 方法
【主权项】:
一种监控电子束扫描仪间匹配度的方法,用于监测第一电子束扫描仪与第二电子束扫描仪之间的匹配度,包括如下步骤:a)、在不同枚CMOS晶圆的第一区域分别定义至少一测试单元;其中,所述CMOS晶圆包括多个芯片单元,各所述芯片单元上垂直分布有导电层与介电层,所述介电层中贯通形成有多个连接孔,所述连接孔中填充有金属以越过所述介电层向下连接所述导电层;b)、在各所述测试单元上分别形成所述导电层、介电层以及多个连接孔阻断缺陷;c)、所述第一、第二电子束扫描仪分别以正负载模式扫描所述不同枚CMOS晶圆上的测试单元,以检测所述阻断缺陷;d)、根据对所述阻断缺陷的检测结果计算所述第一电子束扫描仪与第二电子束扫描仪之间的匹配度;e)、更换所述CMOS晶圆,回到所述步骤a)继续进行。
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