[发明专利]一种碲基三元纳米线及其阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种碲基三元纳米线及其阵列的制备方法，配制pH=2.2缓冲溶液，并加入氯化锑、氯化铟和亚碲酸钾，完全溶解均匀；将模板的一面导电作为工作电极，同时在电解池中设置参比电极和对电极，并将电解液转移至电解池中，然后将电解池密封通入惰性气体，以除去电解液中的溶解氧；选择进行差分脉冲电沉积。本发明的In-Sb-Te纳米线的模板辅助的脉冲电沉积方法，具有工艺简单、成本低、合成温度低、尺寸均匀、仪器设备简单，重复性高，产率大等优点。当使用不同孔径的模板时，得到不同尺寸的纳米线，三种金属元素沿径向和轴向均分布均匀，纳米线长度为几微米到几十微米且尺寸均匀，光滑，并具有阵列结构。

主权项

一种碲基三元纳米线，其特征在于，由三种金属元素In、Sb和Te组成，且沿长度方向和径向均匀分布，按照下述步骤进行制备：步骤1，制备电解液：配制pH=2.2缓冲溶液，并向所述缓冲溶液中加入氯化锑、氯化铟和亚碲酸钾，完全溶解均匀；步骤2，准备电解池：将模板的一面导电作为工作电极，同时在电解池中设置参比电极和对电极，并将步骤1制备的电解液转移至电解池中，然后将电解池密封通入惰性气体，以除去电解液中的溶解氧；步骤3，进行电化学沉积：选择进行差分脉冲电沉积，一个脉冲循环参数为在‑1.4V下沉积50—300ms，然后‑0.4V下沉积50—200ms，依照脉冲循环参数连续进行沉积30—40分钟。