[发明专利]一种MWT电池的制作方法无效
申请号: | 201310489232.3 | 申请日: | 2013-10-18 |
公开(公告)号: | CN103618021A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 杨金波;陈康平;金浩;黄琳 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 吴关炳 |
地址: | 314416 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种MWT电池的制作方法,包括如下步骤:制绒、扩散、镀减反膜、背钝化、激光刻蚀、清洗、氧化、填充隔离槽、印刷、高温烧结。其中激光刻蚀步骤:采用激光在硅片上穿通孔,在钝化膜上刻电极隔离槽、铝浆和硅片的接触槽,其中隔离槽宽5-10μm,深20-80μm;接触槽宽20-100μm;所述通孔的直径为100-300μm;隔离槽把通孔包围,隔离槽边缘与背面正电极的边缘距离大于100μm。氧化步骤:通过CVD在通孔的孔壁,以及隔离槽的底部和侧壁分别氧化一层二氧化硅层,所述二氧化硅层厚度为5-20nm;本发明更进一步的提高了MWT电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 mwt 电池 制作方法 | ||
【主权项】:
一种MWT电池的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)制绒:通过酸制绒,去除硅片表面的损伤层,控制其形貌,降低反射率;(2)扩散:扩散三氯氧磷形成PN结,方阻110ohm/sq;(3)镀减反膜:在硅片正面镀一层氮化硅减反膜,其厚度为70‑90nm;(4)背钝化:电池背面采用双层钝化膜钝化,所述第一层钝化膜带负电性,第二层钝化膜带正电性,所述第一层钝化膜的厚度为5‑30nm,第二层钝化膜的厚度为50‑200nm;(5)激光刻蚀:采用激光在硅片上穿通孔,在钝化膜上刻电极隔离槽、铝浆和硅片的接触槽, 所述隔离槽宽5‑10μm,深20‑80μm;所述接触槽宽20‑100μm;所述通孔的直径为100‑300μm;所述隔离槽把通孔包围,隔离槽边缘与背面正电极的边缘距离大于100μm;(6)清洗:激光刻蚀步骤后,在80℃,10%‑20%浓度的氢氧化钠溶液浸泡5‑10分钟去除激光过程中的损伤层;(7)氧化:通过CVD在通孔的孔壁,以及隔离槽的底部和侧壁分别氧化一层二氧化硅层,所述二氧化硅层厚度为5‑20nm;(8)填充隔离槽:在隔离槽中填充绝缘材料,并烘干;(9)印刷:进行背面正电极的堵孔浆料印刷、背场的铝浆印刷和正面电极印刷,堵孔浆料印刷和背场铝浆印刷时不能接触隔离槽,且背场铝浆印刷与隔离槽的距离大于100μm;正面电极印刷时和通孔浆料充分接触,以便把收集到的电流送到背面;(10)高温烧结:在200℃下烘干后,通过900℃的高温过程形成电极和硅片的良好欧姆接触。
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