[发明专利]一种MWT电池的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电池的制作方法，具体涉及一种MWT电池的制作方法。

背景技术

MWT电池是一种新型太阳能电池结构，它的特点是电池的发射区和基区电极均位于电池背面的一种电池。这种电池的优点是：正面遮光面积的减小或消除，提高了电池的受光面积，提高电池的效率；组件封装无需进行正面焊接，组件封装密度提高，且更美观。但是如何进一步提高MWT电池的种种优点，使其成为现阶段光伏行业研究的一个重点方向。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种MWT电池的制作方法，更进一步的提高了MWT电池的效率。

本发明解决技术问题所采用的技术方案是：一种MWT电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）制绒：通过酸制绒，去除硅片表面的损伤层，控制其形貌，降低反射率；

（2）扩散：扩散三氯氧磷形成PN结，方阻110ohm/sq；

（3）镀减反膜：在硅片正面镀一层氮化硅减反膜，其厚度为70-90nm；

（4）背钝化：电池背面采用双层钝化膜钝化，所述第一层钝化膜带负电性，第二层钝化膜带正电性，所述第一层钝化膜的厚度为5-30nm，第二层钝化膜的厚度为50-200nm；

（5）激光刻蚀：采用激光在硅片上穿通孔，在钝化膜上刻电极隔离槽、铝浆和硅片的接触槽, 所述隔离槽宽5-10μm，深20-80μm；所述接触槽宽20-100μm；所述通孔的直径为100-300μm；所述隔离槽把通孔包围，隔离槽边缘与背面正电极的边缘距离大于100μm；

（6）清洗：激光刻蚀步骤后，在80℃，10%-20%浓度的氢氧化钠溶液浸泡5-10分钟去除激光过程中的损伤层；

（7）氧化：通过CVD在通孔的孔壁，以及隔离槽的底部和侧壁分别氧化一层二氧化硅层，所述二氧化硅层厚度为5-20nm；

（8）填充隔离槽：在隔离槽中填充绝缘材料，并烘干；

（9）印刷：进行背面正电极的堵孔浆料印刷、背场的铝浆印刷和正面电极印刷，堵孔浆料印刷和背场铝浆印刷时不能接触隔离槽，且背场铝浆印刷与隔离槽的距离大于100μm；正面电极印刷时和通孔浆料充分接触，以便把收集到的电流送到背面；

（10）高温烧结：在200℃下烘干后，通过900℃的高温过程形成电极和硅片的良好欧姆接触。

作为一种优选，所述步骤（8）填充隔离槽中的绝缘材料为聚硅氮烷。

本发明的有益效果是: 电池的通孔孔壁上采用二氧化硅膜保护，改善电极与硅片接触的界面态；电池背面正电极和背场之间刻隔离槽，且在隔离槽内填充绝缘材料，减小电池片的漏电；电池背面采用双层钝化膜， 提高了电池片的开压。

附图说明

图1为本发明实施例MWT电池的剖视结构示意图。

图2为本发明实施例MWT电池的背面结构示意图。

下面结合附图对本发明做进一步说明。

具体实施方式

结合附图1、2所示，一种MWT电池的制作方法，包括如下步骤：

（1）制绒：通过酸制绒，去除硅片表面的损伤层，控制其形貌，降低反射率；

（2）扩散：扩散三氯氧磷形成PN结，方阻110ohm/sq；

（3）镀减反膜：在硅片正面镀一层氮化硅减反膜1，其厚度为75nm；

（4）背钝化：电池背面采用双层钝化膜钝化，所述第一层钝化膜2带负电性，第二层钝化膜3带正电性，所述第一层钝化膜2的厚度为5nm，第二层钝化膜3的厚度为60nm；

（5）激光刻蚀：采用激光在硅片上穿通孔5，在钝化膜上刻电极隔离槽7、铝浆和硅片的接触槽10, 所述隔离槽宽5μm，深25μm； 所述接触槽宽20μm；所述通孔的直径为200μm；所述隔离槽7把通孔包围，隔离槽边缘与背面正电极的边缘距离为110μm；

（6）清洗：激光刻蚀步骤后，在80℃，16%浓度的氢氧化钠溶液浸泡8分钟去除激光过程中的损伤层；

（7）氧化：通过CVD在通孔5的孔壁6，以及隔离槽7的底部和侧壁分别氧化一层二氧化硅层，所述二氧化硅层厚度为10nm；

（8）填充隔离槽：在隔离槽7中填充绝缘材料聚硅氮烷8，并烘干；

（9）印刷：进行背面正电极9的堵孔浆料印刷、背场4的铝浆印刷和正面电极印刷，堵孔浆料印刷和背场铝浆印刷时不能接触隔离槽，且背场铝浆印刷与隔离槽的距离为110μm；正面电极印刷时和通孔浆料充分接触，以便把收集到的电流送到背面；

（10）高温烧结：在200℃下烘干后，通过900℃的高温过程形成电极和硅片的良好欧姆接触。