[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201310486336.9 | 申请日： | 2013-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103779422A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;须泽英臣;笹川慎也;田中哲弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高科 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种抑制氧化物半导体层中的氧缺陷的增加的半导体装置。此外，提供一种电特性良好的半导体装置。此外，提供一种可靠性高的半导体装置。在其沟道形成区域包括氧化物半导体层的半导体装置中，使用以与氧化物半导体层的下侧接触的方式设置的氧化物绝缘膜和以与氧化物半导体层的上侧接触的方式设置的栅极绝缘膜，将该氧化物绝缘膜或该栅极绝缘膜中的氧供应到氧化物半导体层中。此外，通过作为用于源电极层及漏电极层的金属膜使用导电氮化物，抑制氧扩散到该金属膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：氧化物绝缘膜；所述氧化物绝缘膜上的氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的第一源电极层及第一漏电极层；分别覆盖所述第一源电极层及所述第一漏电极层并与所述氧化物半导体层接触的第二源电极层及第二漏电极层；所述氧化物绝缘膜、所述氧化物半导体层、所述第二源电极层及所述第二漏电极层上的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上并与所述氧化物半导体层重叠的栅电极层；以及所述栅极绝缘膜及所述栅电极层上的保护绝缘膜，其中，所述栅极绝缘膜在所述第二源电极层及所述第二漏电极层的外部区域与所述氧化物绝缘膜部分地接触。
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