[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

氧化物绝缘膜；

所述氧化物绝缘膜上的氧化物半导体层；

与所述氧化物半导体层接触的第一源电极层及第一漏电极层；

分别覆盖所述第一源电极层及所述第一漏电极层并与所述氧化物半导体层接触的第二源电极层及第二漏电极层；

所述氧化物绝缘膜、所述氧化物半导体层、所述第二源电极层及所述第二漏电极层上的栅极绝缘膜；

所述栅极绝缘膜上并与所述氧化物半导体层重叠的栅电极层；以及

所述栅极绝缘膜及所述栅电极层上的保护绝缘膜，

其中，所述栅极绝缘膜在所述第二源电极层及所述第二漏电极层的外部区域与所述氧化物绝缘膜部分地接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一源电极层及所述第一漏电极层包括选自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo和W中的至少一种材料。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一源电极层及所述第一漏电极层的端部具有台阶。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二源电极层及所述第二漏电极层包括选自氮化钽、氮化钛和钌中的至少一种材料。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述保护绝缘膜包括氮化硅。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述氧化物半导体层包含晶体，

并且所述晶体的c轴平行于所述氧化物半导体层的表面的法线向量。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第二源电极层及所述第一漏电极层与所述氧化物绝缘膜接触。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第二源电极层延伸到所述第一源电极层的侧边之外，所述第二漏电极层延伸到所述第一漏电极层的侧边之外。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第二源电极层与所述第一源电极层接触，所述第二漏电极层与所述第一漏电极层接触。

10.一种电子设备，包括如权利要求1所述的半导体装置。

11.一种半导体装置，包括：

氧化物绝缘膜；

所述氧化物绝缘膜上的氧化物半导体层；

与所述氧化物半导体层接触的第一源电极层及第一漏电极层；

分别与所述第一源电极层及所述第一漏电极层接触并与所述氧化物半导体层接触的第二源电极层及第二漏电极层；

所述氧化物绝缘膜、所述氧化物半导体层、所述第一源电极层、所述第一漏电极层、所述第二源电极层及所述第二漏电极层上的栅极绝缘膜；

所述栅极绝缘膜上并与所述氧化物半导体层重叠的栅电极层；以及

所述栅极绝缘膜及所述栅电极层上的保护绝缘膜，

其中，所述栅极绝缘膜在所述第一源电极层及所述第一漏电极层的外部区域与所述氧化物绝缘膜部分地接触。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第一源电极层及所述第一漏电极层包括选自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo和W中的至少一种材料。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第一源电极层及所述第一漏电极层的端部具有台阶。

14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第二源电极层及所述第二漏电极层包括选自氮化钽、氮化钛和钌中的至少一种材料。

15.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述保护绝缘膜包括氮化硅。