[发明专利]一种铸造单晶硅锭的方法与装置有效
| 申请号： | 201310471418.6 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103526278A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 金应荣;贺毅;陈宝军;何知宇;张洁;李翔;龚鹏;苏敏;金玉山 | 申请（专利权）人： | 西华大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吴开磊 |
| 地址： | 610039 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铸造单晶硅锭的方法，还公开了一种铸造单晶硅锭的装置。本发明采用局部凝固方法得到初始晶核，采用诱导生长和转向生长和熔化初始晶核的方法得到籽晶，通过逐步扩大凝固区域，使籽晶长大并覆盖坩埚底部，最后让籽晶生长转变为定向凝固，从而制备出错位密度较低的单晶硅锭。本发明不需要使用长晶棒，便于控制铸造过程，也不需要籽晶，或仅需要少量籽晶，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铸造 单晶硅 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种铸造单晶硅锭的方法，其特征在于：包括以下步骤，（1）设置初始晶核：在坩埚底部设置初始晶核；（2）诱导生长：让初始晶核生长并覆盖坩埚底部中心；（3）熔化初始晶核：将初始晶核熔化，并保持坩埚底部中心处的晶核不熔化；（4）籽晶生长：让坩埚底部中心处的没有熔化的晶核向四周生长，逐渐铺满坩埚底部；（5）定向生长：让铺满坩埚底部的籽晶由下向上生长，得到单晶硅锭。
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