[发明专利]一种铸造单晶硅锭的方法与装置

权利要求书

1.一种铸造单晶硅锭的方法，其特征在于：包括以下步骤，

（1）设置初始晶核：在坩埚底部设置初始晶核；

（2）诱导生长：让初始晶核生长并覆盖坩埚底部中心；

（3）熔化初始晶核：将初始晶核熔化，并保持坩埚底部中心处的晶核不熔化；

（4）籽晶生长：让坩埚底部中心处的没有熔化的晶核向四周生长，逐渐铺满坩埚底部；

（5）定向生长：让铺满坩埚底部的籽晶由下向上生长，得到单晶硅锭。

2.根据权利要求1所述的一种铸造单晶硅锭的方法，其特征在于：所述初始晶核为多晶，所述多晶设置于偏离所述坩埚底部中心处。

3.根据权利要求1所述的一种铸造单晶硅锭的方法，其特征在于：所述初始晶核为单晶，所述单晶设置于偏离所述坩埚底部中心处。

4.根据权利要求1所述的一种铸造单晶硅锭的方法，其特征在于：所述初始晶核为单晶，所述单晶设置于坩埚底部中心处。

5.根据权利要求2所述的一种铸造单晶硅锭的方法，其特征在于：步骤（2）时，让所述多晶向偏离坩埚中心的方向生长后再向所述坩埚中心生长，并覆盖坩埚底部中心。

6.根据权利要求3所述的一种铸造单晶硅锭的方法，其特征在于：步骤（2）时，让单晶向坩埚中心生长，并覆盖坩埚底部中心。

7.一种权利要求1-6任意一项所述的铸造单晶硅锭的方法所使用的装置，其特征在于：包括，坩埚、可控导热底座、真空系统、冷却系统、加热系统、温度控制系统和运动控制系统；

其中，所述可控导热底座包括支撑所述坩埚的隔热支座和导热装置，所述导热装置的一端为低温端，所述低温端与所述冷却系统连接，所述导热装置的另一端与所述坩埚底部接触或不接触；

所述温度控制系统与所述加热系统和所述冷却系统连接；所述运动控制系统含有至少两套运动机构，分别与所述可控导热底座、所述导热装置连接。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于：所述导热装置为导热棒或热管。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于：所述导热棒或热管的柱状表面涂覆有隔热涂层。