[发明专利]用于制造诸如超势垒SBR整流器之类的半导体器件的方法有效

申请号：	201310463667.0	申请日：	2013-09-27
公开（公告）号：	CN103700587B	公开（公告）日：	2018-08-07
发明（设计）人：	F·利齐奥	申请（专利权）人：	意法半导体股份有限公司
主分类号：	H01L21/329	分类号：	H01L21/329;H01L21/335;H01L21/32
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	王茂华;张宁
地址：	意大利阿格***	国省代码：	意大利;IT
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	一种用于制造半导体器件的方法，其中在半导体材料本体(30)上形成半导体层(32)；在半导体层上形成第一掩膜(34；34，33a)；使用第一掩膜，在体中注入第一导电区域(37)；至少在与本体的表面平行的平面的凸起中，在第一掩膜的侧向上并且与第一掩膜互补地形成第二掩膜(38；61)；使用第二掩膜，在体(30)中与第一导电区域(37)相邻且互补的位置处注入第二导电区域(40)；在第二掩膜区域(38；61)侧上形成间隔体，以形成与第二掩膜对准的第三掩膜(47；67)；以及使用第三掩膜，去除半导体层(32)的部分，以获得栅极区域(32a)。
搜索关键词：	用于制造诸如超势垒 sbr 整流器之类半导体器件方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括如下步骤：提供具有表面的半导体材料本体(30)；在所述本体的顶部上形成半导体层(32)；在所述半导体层的顶部上形成第一掩膜(34；34，33a)；使用所述第一掩膜，向所述本体中引入第一掺杂剂种类，以在所述本体中形成第一导电区域(37)；至少在与所述本体的表面平行的平面中的凸起中，在所述第一掩膜的侧向上并且与所述第一掩膜互补地形成第二掩膜(38；61)；使用所述第二掩膜，向所述本体(30)中引入第二掺杂剂种类，以在所述本体中与所述第一导电区域(37)相邻且互补的位置处形成第二导电区域(40)；在所述第二掩膜区域(38；61)的侧部上形成间隔体，以形成与所述第二掩膜对准的第三掩膜(47；67)；以及通过使用所述第三掩膜，去除所述半导体层(32)的部分，以获得栅极区域(32a)。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司，未经意法半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310463667.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]用于制造诸如超势垒SBR整流器之类的半导体器件的方法有效

专利文献下载