[发明专利]用于制造诸如超势垒SBR整流器之类的半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括如下步骤：

提供具有表面的半导体材料本体(30)；

在所述本体的顶部上形成半导体层(32)；

在所述半导体层的顶部上形成第一掩膜(34；34，33a)；

使用所述第一掩膜，向所述本体中引入第一掺杂剂种类，以在所述本体中形成第一导电区域(37)；

至少在与所述本体的表面平行的平面中的凸起中，在所述第一掩膜的侧向上并且与所述第一掩膜互补地形成第二掩膜(38；61)；

使用所述第二掩膜，向所述本体(30)中引入第二掺杂剂种类，以在所述本体中与所述第一导电区域(37)相邻且互补的位置处形成第二导电区域(40)；

在所述第二掩膜区域(38；61)的侧部上形成间隔体，以形成与所述第二掩膜对准的第三掩膜(47；67)；以及

通过使用所述第三掩膜，去除所述半导体层(32)的部分，以获得栅极区域(32a)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一掩膜(34；33a，34)包括窗口(35)；

在引入第一掺杂剂种类之后，利用填充材料(39；60；70)至少部分地填充所述窗口(35)，以形成相对于所述第一掩膜的至少一个部分(34；33a)偏移且互补地布置的互补掩膜(58；61)；所述第二掩膜(38；61)至少部分地包括所述互补掩膜(58；61)或者相对于所述互补掩膜重合叠置；以及

在至少部分地填充所述窗口(35)之后，去除所述第一掩膜(33a，34；34)。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一掩膜为探测体掩膜(34)；所述第一导电区域为探测体区域(37)；所述第二掩膜为沟道掩膜(38；61)；以及所述第二导电区域为沟道区域(40)。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述半导体器件包括AFER二极管(1)，所述方法包括，在去除所述半导体层(32)的部分之后，并且使用所述第三掩膜(47；67)：

向所述本体中引入第三掺杂剂种类以形成阱区域(48)；

以倾斜方式向所述沟道区域(40)中引入第四掺杂剂种类以形成源极区域(50)；

去除所述本体(30)的一部分以形成微沟槽(51)；以及

沉积导电接触层(53，54)，从而填充所述微沟槽并且至少在所述栅极区域(32a)的一侧上延伸并且与所述栅极区域(32a)、所述源极区域(50)和所述阱区域(48)电接触。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述本体(30)、所述第一导电区域(37)和所述源极区域(50)具有第一导电类型，并且所述阱区域(48)和所述第二导电区域(40)具有第二导电类型。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其中所述半导体层(32)为多晶硅，并且所述导电接触层(53)为金属。

7.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其中，在提供第一掩膜(34)之前，在所述半导体层(32)上形成掩蔽层(33)；并且形成第二掩膜(38)包括使用所述互补掩膜(58；72)去除所述掩蔽层的部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其中在去除所述掩蔽层(33)的部分之前，执行引入第一掺杂剂种类和填充所述窗口(35)；所述互补掩膜(58；72)相对于所述第一掩膜(34)在侧向上在所述掩蔽层(33)之上延伸；以及引入第一掺杂剂种类包括通过所述掩蔽层注入所述第一掺杂剂种类。

9.根据权利要求8的方法，其中在形成间隔体(44)之前，去除所述互补掩膜(39)。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其中在引入第二掺杂剂种类之前或之后，执行去除所述互补掩膜(58；72)。

11.根据权利要求8至9中任一项所述的方法，其中所述第一掩膜(34)为第一类型的光致抗蚀剂，并且所述填充材料(70)为第二类型的光致抗蚀剂。