[发明专利]太阳能电池的制造方法在审
| 申请号： | 201310460259.X | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104518050A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 陈易聪;颜贤成;吴家宏;洪光辉;柯震宇;童智圣;陈玄芳;欧乃天;黄桂武 | 申请（专利权）人： | 昱晶能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾苗栗县竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种太阳能电池的制造方法。此制造方法包含提供具有抗反射层的半导体基板；形成金属电极材料于抗反射层上，以形成第一电极图案；烧结第一电极图案；移除于烧结第一电极图案中于金属电极材料的表面形成的氧化层；以及形成电镀层于经移除氧化层的金属电极材料上，以形成太阳能电池的正面电极。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包含：提供一半导体基板，该半导体基板具有一迎光面及相对于该迎光面的一背光面，其中该迎光面上具有一抗反射层；形成一金属电极材料于该抗反射层上，以形成一第一电极图案；烧结该第一电极图案；移除于烧结该第一电极图案中于该金属电极材料的表面形成的一氧化层；以及形成一电镀层于经移除该氧化层的该金属电极材料上，以形成该太阳能电池的一正面电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
