[发明专利]图像传感单元及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201310455828.1 申请日: 2013-09-29
公开(公告)号: CN104518090B 公开(公告)日: 2018-09-07
发明(设计)人: 三重野文健 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种图像传感单元及其形成方法,所述图像传感单元的形成方法包括:提供像素电极材料层;对所述像素电极材料层进行处理形成像素电极,所述像素电极的表面凹凸不平,具有凸起结构;在所述像素电极表面形成有机光电转换层。上述方法可以提高图像传感单元的性能。
搜索关键词: 图像 传感 单元 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种图像传感单元的形成方法,其特征在于,包括:提供像素电极材料层;对所述像素电极材料层进行处理形成像素电极,所述像素电极的表面凹凸不平,具有若干凸起结构;在所述像素电极表面形成有机光电转换层;其中,形成所述像素电极的方法包括:在所述像素电极材料层表面形成岛状分布的图形化掩膜层;以所述图形化掩膜层为掩膜,刻蚀部分厚度的像素电极材料层,使所述像素电极材料层表面形成凹槽;然后去除所述图形化掩膜层;形成所述图形化掩膜层的方法包括:在所述像素电极材料层表面形成第一掩膜层;在所述第一掩膜层表面形成岛状分布的第二掩膜层;以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀所述第一掩膜层,形成图形化掩膜层;去除第二掩膜层;所述第二掩膜层的材料为硅,所述第二掩膜层为硅岛;所述硅岛的宽度为10nm~20nm,相邻硅岛之间的距离为10nm~30nm。
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