[发明专利]图像传感单元及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感单元的形成方法，其特征在于，包括：

提供像素电极材料层；

对所述像素电极材料层进行处理形成像素电极，所述像素电极的表面凹凸不平，具有若干凸起结构；

在所述像素电极表面形成有机光电转换层；

其中，形成所述像素电极的方法包括：在所述像素电极材料层表面形成岛状分布的图形化掩膜层；以所述图形化掩膜层为掩膜，刻蚀部分厚度的像素电极材料层，使所述像素电极材料层表面形成凹槽；然后去除所述图形化掩膜层；

形成所述图形化掩膜层的方法包括：在所述像素电极材料层表面形成第一掩膜层；在所述第一掩膜层表面形成岛状分布的第二掩膜层；以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀所述第一掩膜层，形成图形化掩膜层；去除第二掩膜层；

所述第二掩膜层的材料为硅，所述第二掩膜层为硅岛；所述硅岛的宽度为10nm～20nm，相邻硅岛之间的距离为10nm～30nm。

2.根据权利要求1所述的图像传感单元的形成方法，其特征在于，所述凹槽的深度为30nm～50nm。

3.根据权利要求1所述的图像传感单元的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述第二掩膜层。

4.根据权利要求3所述的图像传感单元的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺采用的反应气体包括硅源气体和刻蚀气体，所述硅源气体至少包括Si₃H₈、SiH₄、Si₂H₆、Si₅H₁₀中的一种，所述刻蚀气体至少包括HCl、HF、Cl₂中的一种，硅源气体与刻蚀气体的浓度比为1:0.2～1:0.8，反应温度为250℃～400℃，压强为0.05托～10托，反应时间为10s～30s。

5.一种图像传感单元的形成方法，其特征在于，包括：

提供像素电极材料层；

对所述像素电极材料层进行处理形成像素电极，所述像素电极的表面凹凸不平，具有若干凸起结构；

在所述像素电极表面形成有机光电转换层；其中，形成所述像素电极的方法包括：在所述像素电极材料层表面形成氧化层；在所述氧化层表面形成岛状分布的金属颗粒；其中，所述金属颗粒、所述氧化层与所述像素电极材料层共同作为所述像素电极；

所述岛状分布的金属颗粒的直径为10nm～20nm，相邻金属颗粒之间的距离为10nm～30nm。

6.根据权利要求5所述的图像传感单元的形成方法，其特征在于，将所述像素电极材料层置于空气中，使像素电极材料层表面自然氧化，形成氧化层。

7.根据权利要求6所述的图像传感单元的形成方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为0.5nm～40nm。

8.根据权利要求5所述的图像传感单元的形成方法，其特征在于，所述金属颗粒的材料至少包括TiN、Ti、Ta或TaN中的一种。

9.根据权利要求5所述的图像传感单元的形成方法，其特征在于，所述金属颗粒的材料与像素电极材料层的材料相同。

10.根据权利要求5所述的图像传感单元的形成方法，其特征在于，形成所述金属颗粒的方法为化学气相沉积工艺。

11.根据权利要求10所述的图像传感单元的形成方法，其特征在于，所述金属颗粒的材料为TiN时，所述化学气相沉积工艺采用的反应气体包括沉积气体和刻蚀气体，所述化学气相沉积工艺采用的沉积气体包括TiCl₄和NH₃，所述刻蚀气体包括HCl，其中TiCl₄、NH₃和HCl的浓度比为1:1:0.2～1:1:0.8，反应温度为250℃～400℃，反应时间为10s～30s。